Rezime wafer SiC la
Waf Silisyòm kabid (SiC) yo vin tounen substrat pi pito pou elektwonik gwo puisans, gwo frekans, ak gwo tanperati atravè sektè otomobil, enèji renouvlab, ak ayewospasyal. Pòtfolyo nou an kouvri politip kle ak konplo dopan—4H dopé ak azòt (4H-N), semi-izolasyon gwo pite (HPSI), 3C dopé ak azòt (3C-N), ak tip-p 4H/6H (4H/6H-P)—yo ofri nan twa klas kalite: PRIME (substrat konplètman poli, klas aparèy), DUMMY (ropé oswa pa poli pou esè pwosesis), ak RESEARCH (kouch epi koutim ak pwofil dopan pou R&D). Dyamèt waf yo kouvri 2″, 4″, 6″, 8″, ak 12″ pou adapte ak tou de zouti ansyen ak faktori avanse. Nou bay tou boul monokristalin ak kristal grenn oryante avèk presizyon pou sipòte kwasans kristal entèn.
Gato 4H-N nou yo prezante dansite kondiktè ki soti nan 1×10¹⁶ rive nan 1×10¹⁹ cm⁻³ ak rezistivite 0.01–10 Ω·cm, sa ki bay yon ekselan mobilite elektwon ak chan pann ki pi wo pase 2 MV/cm—ideyal pou dyòd Schottky, MOSFET, ak JFET. Substra HPSI yo depase rezistivite 1×10¹² Ω·cm ak dansite mikwo-tiyo anba 0.1 cm⁻², sa ki asire yon flit minimòm pou aparèy RF ak mikwo-onn. Cubic 3C-N, disponib nan fòma 2″ ak 4″, pèmèt eteroepitaksi sou silikon epi li sipòte nouvo aplikasyon fotonik ak MEMS. Gato 4H/6H-P tip P, dopé ak aliminyòm a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, fasilite achitekti aparèy konplemantè.
Waf PRIME yo sibi polisaj chimik-mekanik pou rive nan yon sifas ki pa twò graj (RMS) <0.2 nm, yon varyasyon epesè total anba 3 µm, ak yon koube <10 µm. Substra DUMMY yo akselere tès asanblaj ak anbalaj, pandan waf RESEARCH yo prezante epesè epi-kouch 2-30 µm ak dopaj espesyal. Tout pwodwi yo sètifye pa difraksyon reyon X (koub balanse <30 arcsec) ak spektroskopi Raman, avèk tès elektrik—mezire Hall, pwofilaj C-V, ak eskanè mikwotiyo—ki asire konfòmite JEDEC ak SEMI.
Yo kiltive boul ki rive jiska 150 mm dyamèt atravè PVT ak CVD avèk dansite dislokasyon anba 1×10³ cm⁻² epi yon ti kantite mikwotiyo. Kristal grenn yo koupe nan yon ang 0.1° parapò ak aks c a pou garanti yon kwasans repwodiktif ak yon gwo rannman nan tranchaj.
Lè nou konbine plizyè politip, varyant dopan, klas kalite, gwosè wafer, ak pwodiksyon boul ak kristal grenn entèn, platfòm substrat SiC nou an senplifye chenn ekipman yo epi akselere devlopman aparèy pou machin elektrik, rezo entelijan, ak aplikasyon pou anviwònman difisil.
Rezime wafer SiC la
Waf Silisyòm kabid (SiC) yo vin tounen substrat pi pito pou elektwonik gwo puisans, gwo frekans, ak gwo tanperati atravè sektè otomobil, enèji renouvlab, ak ayewospasyal. Pòtfolyo nou an kouvri politip kle ak konplo dopan—4H dopé ak azòt (4H-N), semi-izolasyon gwo pite (HPSI), 3C dopé ak azòt (3C-N), ak tip-p 4H/6H (4H/6H-P)—yo ofri nan twa klas kalite: PRIME (substrat konplètman poli, klas aparèy), DUMMY (ropé oswa pa poli pou esè pwosesis), ak RESEARCH (kouch epi koutim ak pwofil dopan pou R&D). Dyamèt waf yo kouvri 2″, 4″, 6″, 8″, ak 12″ pou adapte ak tou de zouti ansyen ak faktori avanse. Nou bay tou boul monokristalin ak kristal grenn oryante avèk presizyon pou sipòte kwasans kristal entèn.
Gato 4H-N nou yo prezante dansite kondiktè ki soti nan 1×10¹⁶ rive nan 1×10¹⁹ cm⁻³ ak rezistivite 0.01–10 Ω·cm, sa ki bay yon ekselan mobilite elektwon ak chan pann ki pi wo pase 2 MV/cm—ideyal pou dyòd Schottky, MOSFET, ak JFET. Substra HPSI yo depase rezistivite 1×10¹² Ω·cm ak dansite mikwo-tiyo anba 0.1 cm⁻², sa ki asire yon flit minimòm pou aparèy RF ak mikwo-onn. Cubic 3C-N, disponib nan fòma 2″ ak 4″, pèmèt eteroepitaksi sou silikon epi li sipòte nouvo aplikasyon fotonik ak MEMS. Gato 4H/6H-P tip P, dopé ak aliminyòm a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, fasilite achitekti aparèy konplemantè.
Waf PRIME yo sibi polisaj chimik-mekanik pou rive nan yon sifas ki pa twò graj (RMS) <0.2 nm, yon varyasyon epesè total anba 3 µm, ak yon koube <10 µm. Substra DUMMY yo akselere tès asanblaj ak anbalaj, pandan waf RESEARCH yo prezante epesè epi-kouch 2-30 µm ak dopaj espesyal. Tout pwodwi yo sètifye pa difraksyon reyon X (koub balanse <30 arcsec) ak spektroskopi Raman, avèk tès elektrik—mezire Hall, pwofilaj C-V, ak eskanè mikwotiyo—ki asire konfòmite JEDEC ak SEMI.
Yo kiltive boul ki rive jiska 150 mm dyamèt atravè PVT ak CVD avèk dansite dislokasyon anba 1×10³ cm⁻² epi yon ti kantite mikwotiyo. Kristal grenn yo koupe nan yon ang 0.1° parapò ak aks c a pou garanti yon kwasans repwodiktif ak yon gwo rannman nan tranchaj.
Lè nou konbine plizyè politip, varyant dopan, klas kalite, gwosè wafer, ak pwodiksyon boul ak kristal grenn entèn, platfòm substrat SiC nou an senplifye chenn ekipman yo epi akselere devlopman aparèy pou machin elektrik, rezo entelijan, ak aplikasyon pou anviwònman difisil.
Foto waf SiC la
Fèy done pou yon waf SiC 6 pous 4H-N
| Fèy done sou waf SiC 6 pous | ||||
| Paramèt | Sou-Paramèt | Klas Z | Klas P | Klas D |
| Dyamèt | 149.5–150.0 milimèt | 149.5–150.0 milimèt | 149.5–150.0 milimèt | |
| Epesè | 4H-N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Epesè | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Oryantasyon wafer | Deyò aks: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Deyò aks: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Deyò aks: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI) | |
| Dansite mikwopip | 4H-N | ≤ 0.2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Dansite mikwopip | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Rezistivite | 4H-N | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm |
| Rezistivite | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | |
| Longè Plat Prensipal | 4H-N | 47.5 milimèt ± 2.0 milimèt | ||
| Longè Plat Prensipal | 4H-SI | Dant | ||
| Eksklizyon kwen | 3 milimèt | |||
| Chèn/LTV/TTV/Banza | ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Aspèrite | Polonè | Ra ≤ 1 nm | ||
| Aspèrite | CMP | Ra ≤ 0.2 nm | Ra ≤ 0.5 nm | |
| Fant sou kwen yo | Okenn | Longè kimilatif ≤ 20 mm, yon sèl ≤ 2 mm | ||
| Plak Egzagòn | Zòn kimilatif ≤ 0.05% | Zòn kimilatif ≤ 0.1% | Zòn kimilatif ≤ 1% | |
| Zòn Politip | Okenn | Zòn kimilatif ≤ 3% | Zòn kimilatif ≤ 3% | |
| Enklizyon Kabòn | Zòn kimilatif ≤ 0.05% | Zòn kimilatif ≤ 3% | ||
| Reyur sifas | Okenn | Longè kimilatif ≤ 1 × dyamèt wafer la | ||
| Chips kwen | Pa gen okenn otorize ≥ 0.2 mm lajè ak pwofondè | Jiska 7 chip, ≤ 1 mm chak | ||
| TSD (Dislokasyon Vis Filetaj) | ≤ 500 cm⁻² | Pa disponib | ||
| BPD (Dislokasyon Plan Baz) | ≤ 1000 cm⁻² | Pa disponib | ||
| Kontaminasyon Sifas | Okenn | |||
| Anbalaj | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | |
Fèy done 4 pous 4H-N tip SiC wafer la
| Fèy done pou yon waf SiC 4 pous | |||
| Paramèt | Pwodiksyon MPD zewo | Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P) | Klas Enbesil (Klas D) |
| Dyamèt | 99.5 mm–100.0 mm | ||
| Epesè (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Epesè (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Oryantasyon wafer | Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <1120> ±0.5° pou 4H-N; Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-Si | ||
| Dansite mikwopip (4H-N) | ≤0.2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Dansite mikwopip (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Rezistivite (4H-N) | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | |
| Rezistivite (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | [10-10] ±5.0° | ||
| Longè Plat Prensipal | 32.5 milimèt ±2.0 milimèt | ||
| Longè plat segondè | 18.0 milimèt ±2.0 milimèt | ||
| Oryantasyon Plat Segondè | Silisyòm fas anlè: 90° CW soti nan plat prensipal la ±5.0° | ||
| Eksklizyon kwen | 3 milimèt | ||
| LTV/TTV/Chanjman banza | ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Aspèrite | Poli Ra ≤1 nm; CMP Ra ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm | |
| Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè | Okenn | Okenn | Longè kimilatif ≤10 mm; longè yon sèl ≤2 mm |
| Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.1% |
| Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè | Okenn | Zòn kimilatif ≤3% | |
| Enklizyon Kabòn Vizyèl | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤3% | |
| Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè | Okenn | Longè kimilatif ≤1 dyamèt wafer | |
| Chips kwen pa limyè entansite segondè | Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè | 5 otorize, ≤1 mm chak | |
| Kontaminasyon Sifas Silisyòm Pa Limyè Entansite Segondè | Okenn | ||
| Dislokasyon vis filetaj | ≤500 cm⁻² | Pa disponib | |
| Anbalaj | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer |
Fèy done 4 pous HPSI tip SiC wafer la
| Fèy done 4 pous HPSI tip SiC wafer la | |||
| Paramèt | Klas Pwodiksyon MPD Zewo (Klas Z) | Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P) | Klas Enbesil (Klas D) |
| Dyamèt | 99.5–100.0 milimèt | ||
| Epesè (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Oryantasyon wafer | Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° pou 4H-N; Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-Si | ||
| Dansite mikwopip (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Rezistivite (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | (10-10) ±5.0° | ||
| Longè Plat Prensipal | 32.5 milimèt ±2.0 milimèt | ||
| Longè plat segondè | 18.0 milimèt ±2.0 milimèt | ||
| Oryantasyon Plat Segondè | Silisyòm fas anlè: 90° CW soti nan plat prensipal la ±5.0° | ||
| Eksklizyon kwen | 3 milimèt | ||
| LTV/TTV/Chanjman banza | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Asperite (fas C) | Polonè | Ra ≤1 nm | |
| Asperite (figi Si) | CMP | Ra ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm |
| Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè | Okenn | Longè kimilatif ≤10 mm; longè yon sèl ≤2 mm | |
| Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.1% |
| Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè | Okenn | Zòn kimilatif ≤3% | |
| Enklizyon Kabòn Vizyèl | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤3% | |
| Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè | Okenn | Longè kimilatif ≤1 dyamèt wafer | |
| Chips kwen pa limyè entansite segondè | Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè | 5 otorize, ≤1 mm chak | |
| Kontaminasyon Sifas Silisyòm Pa Limyè Entansite Segondè | Okenn | Okenn | |
| Dislokasyon vis fil | ≤500 cm⁻² | Pa disponib | |
| Anbalaj | Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer | ||
Dat piblikasyon: 30 jen 2025