English

Yon Gid Konplè pou Wafer Silisyòm Carbide/wafer SiC

Rezime wafer SiC la

 Waflè Silisyòm carbure (SiC)yo vin tounen substrats chwa pou elektwonik gwo puisans, gwo frekans, ak gwo tanperati atravè sektè otomobil, enèji renouvlab, ak ayewospasyal. Pòtfolyo nou an kouvri politip kle ak konplo dopan—4H dopé ak azòt (4H-N), semi-izolasyon gwo pite (HPSI), 3C dopé ak azòt (3C-N), ak 4H/6H tip-p (4H/6H-P)—yo ofri nan twa klas kalite: PRIME (substrats konplètman poli, klas aparèy), DUMMY (ropé oswa san poli pou esè pwosesis), ak RESEARCH (kouch epi koutim ak pwofil dopan pou R&D). Dyamèt wafer yo kouvri 2″, 4″, 6″, 8″, ak 12″ pou adapte ak tou de zouti ansyen ak faktori avanse. Nou bay tou boul monokristalin ak kristal grenn oryante avèk presizyon pou sipòte kwasans kristal entèn.

Gato 4H-N nou yo prezante dansite kondiktè ki soti nan 1×10¹⁶ rive nan 1×10¹⁹ cm⁻³ ak rezistivite 0.01–10 Ω·cm, sa ki bay yon ekselan mobilite elektwon ak chan pann ki pi wo pase 2 MV/cm—ideyal pou dyòd Schottky, MOSFET, ak JFET. Substra HPSI yo depase rezistivite 1×10¹² Ω·cm ak dansite mikwo-tiyo anba 0.1 cm⁻², sa ki asire yon flit minimòm pou aparèy RF ak mikwo-onn. Cubic 3C-N, disponib nan fòma 2″ ak 4″, pèmèt eteroepitaksi sou silikon epi li sipòte nouvo aplikasyon fotonik ak MEMS. Gato 4H/6H-P tip P, dopé ak aliminyòm a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, fasilite achitekti aparèy konplemantè.

Wafer SiC yo, wafer PRIME yo sibi polisaj chimik-mekanik a mwens ke 0.2 nm RMS nan sifas, varyasyon epesè total anba 3 µm, ak koub <10 µm. Substra DUMMY yo akselere tès asanblaj ak anbalaj, pandan ke wafer RESEARCH yo prezante epesè epi-kouch 2-30 µm ak dopan espesyal. Tout pwodwi yo sètifye pa difraksyon reyon X (koub balanse <30 arcsec) ak spektroskopi Raman, ak tès elektrik—mezire Hall, pwofilaj C-V, ak eskanè mikwotiyo—ki asire konfòmite JEDEC ak SEMI.

Yo kiltive boul ki rive jiska 150 mm dyamèt atravè PVT ak CVD avèk dansite dislokasyon anba 1×10³ cm⁻² epi yon ti kantite mikwotiyo. Kristal grenn yo koupe nan yon ang 0.1° parapò ak aks c a pou garanti yon kwasans repwodiktif ak yon gwo rannman nan tranchaj.

Lè nou konbine plizyè politip, varyant dopan, klas kalite, gwosè waf SiC, ak pwodiksyon boul ak kristal grenn entèn, platfòm substrat SiC nou an senplifye chenn ekipman pou epi akselere devlopman aparèy pou machin elektrik, rezo entelijan, ak aplikasyon pou anviwònman difisil.

Rezime wafer SiC la

 Waflè Silisyòm carbure (SiC)yo vin tounen substrat SiC ki pi pito pou elektwonik gwo puisans, gwo frekans, ak gwo tanperati atravè sektè otomobil, enèji renouvlab, ak ayewospasyal. Pòtfolyo nou an kouvri politip kle ak konplo dopan—4H dopé ak azòt (4H-N), semi-izolasyon gwo pite (HPSI), 3C dopé ak azòt (3C-N), ak 4H/6H tip-p (4H/6H-P)—yo ofri nan twa klas kalite: waf SiCPRIME (substrat konplètman poli, klas aparèy), DUMMY (rope oswa pa poli pou esè pwosesis), ak RESEARCH (kouch epi koutim ak pwofil dopan pou R&D). Dyamèt wafer SiC yo kouvri 2″, 4″, 6″, 8″, ak 12″ pou adapte ak tou de zouti ansyen ak faktori avanse. Nou bay tou boul monokristalin ak kristal grenn oryante avèk presizyon pou sipòte kwasans kristal entèn.

Gato 4H-N SiC nou yo prezante dansite kondiktè ki soti nan 1×10¹⁶ rive nan 1×10¹⁹ cm⁻³ ak rezistivite 0.01–10 Ω·cm, sa ki bay yon ekselan mobilite elektwon ak chan pann ki pi wo pase 2 MV/cm—ideyal pou dyòd Schottky, MOSFET, ak JFET. Substra HPSI yo depase rezistivite 1×10¹² Ω·cm ak dansite mikwo-tiyo anba 0.1 cm⁻², sa ki asire yon flit minimòm pou aparèy RF ak mikwo-onn. Cubic 3C-N, disponib nan fòma 2″ ak 4″, pèmèt eteroepitaksi sou silikon epi sipòte nouvo aplikasyon fotonik ak MEMS. Gato SiC tip P 4H/6H-P, dopé ak aliminyòm a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, fasilite achitekti aparèy konplemantè.

Wafer SiC PRIME yo sibi polisaj chimik-mekanik a mwens ke 0.2 nm RMS nan sifas, varyasyon epesè total anba 3 µm, ak koube <10 µm. Substra DUMMY yo akselere tès asanblaj ak anbalaj, pandan ke wafer RESEARCH yo prezante epesè epi-kouch 2-30 µm ak dopan espesyal. Tout pwodwi yo sètifye pa difraksyon reyon X (koub balanse <30 arcsec) ak spektroskopi Raman, ak tès elektrik—mezire Hall, pwofilaj C-V, ak eskanè mikwotiyo—ki asire konfòmite JEDEC ak SEMI.

Yo kiltive boul ki rive jiska 150 mm dyamèt atravè PVT ak CVD avèk dansite dislokasyon anba 1×10³ cm⁻² epi yon ti kantite mikwotiyo. Kristal grenn yo koupe nan yon ang 0.1° parapò ak aks c a pou garanti yon kwasans repwodiktif ak yon gwo rannman nan tranchaj.

Lè nou konbine plizyè politip, varyant dopan, klas kalite, gwosè waf SiC, ak pwodiksyon boul ak kristal grenn entèn, platfòm substrat SiC nou an senplifye chenn ekipman pou epi akselere devlopman aparèy pou machin elektrik, rezo entelijan, ak aplikasyon pou anviwònman difisil.

Foto wafer SiC la

Fèy done pou yon waf SiC 6 pous 4H-N

 

Fèy done sou waf SiC 6 pous
Paramèt Sou-Paramèt Klas Z Klas P Klas D
Dyamèt   149.5–150.0 milimèt 149.5–150.0 milimèt 149.5–150.0 milimèt
Epesè 4H-N 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm
Epesè 4H-SI 500 µm ± 15 µm 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Oryantasyon wafè   Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI) Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI) Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° (4H-N); Sou aks: <0001> ±0.5° (4H-SI)
Dansite mikwopip 4H-N ≤ 0.2 cm⁻² ≤ 2 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Dansite mikwopip 4H-SI ≤ 1 cm⁻² ≤ 5 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Rezistivite 4H-N 0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Rezistivite 4H-SI ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm ≥ 1×10⁵ Ω·cm  
Oryantasyon Plat Prensipal   [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0° [10-10] ± 5.0°
Longè Plat Prensipal 4H-N 47.5 milimèt ± 2.0 milimèt    
Longè Plat Prensipal 4H-SI Dant    
Eksklizyon kwen     3 milimèt  
Chèn/LTV/TTV/Banza   ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm  
Aspèrite Polonè Ra ≤ 1 nm    
Aspèrite CMP Ra ≤ 0.2 nm   Ra ≤ 0.5 nm
Fant sou kwen yo   Okenn   Longè kimilatif ≤ 20 mm, yon sèl ≤ 2 mm
Plak Egzagòn   Zòn kimilatif ≤ 0.05% Zòn kimilatif ≤ 0.1% Zòn kimilatif ≤ 1%
Zòn Politip   Okenn Zòn kimilatif ≤ 3% Zòn kimilatif ≤ 3%
Enklizyon Kabòn   Zòn kimilatif ≤ 0.05%   Zòn kimilatif ≤ 3%
Reyur sifas   Okenn   Longè kimilatif ≤ 1 × dyamèt wafer la
Chips kwen   Pa gen okenn otorize ≥ 0.2 mm lajè ak pwofondè   Jiska 7 chip, ≤ 1 mm chak
TSD (Dislokasyon Vis Filetaj)   ≤ 500 cm⁻²   Pa disponib
BPD (Dislokasyon Plan Baz)   ≤ 1000 cm⁻²   Pa disponib
Kontaminasyon Sifas   Okenn    
Anbalaj   Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer

Fèy done 4 pous 4H-N tip SiC wafer la

 

Fèy done pou yon waf SiC 4 pous
Paramèt Pwodiksyon MPD zewo Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P) Klas Enbesil (Klas D)
Dyamèt 99.5 mm–100.0 mm
Epesè (4H-N) 350 µm ± 15 µm   350 µm ± 25 µm
Epesè (4H-Si) 500 µm ± 15 µm   500 µm ± 25 µm
Oryantasyon wafè Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <1120> ±0.5° pou 4H-N; Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-Si    
Dansite mikwopip (4H-N) ≤0.2 cm⁻² ≤2 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Dansite mikwopip (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Rezistivite (4H-N)   0.015–0.024 Ω·cm 0.015–0.028 Ω·cm
Rezistivite (4H-Si) ≥1E10 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Oryantasyon Plat Prensipal   [10-10] ±5.0°  
Longè Plat Prensipal   32.5 milimèt ±2.0 milimèt  
Longè plat segondè   18.0 milimèt ±2.0 milimèt  
Oryantasyon Plat Segondè   Silisyòm fas anlè: 90° CW soti nan plat prensipal la ±5.0°  
Eksklizyon kwen   3 milimèt  
LTV/TTV/Chanjman banza ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Aspèrite Poli Ra ≤1 nm; CMP Ra ≤0.2 nm   Ra ≤0.5 nm
Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè Okenn Okenn Longè kimilatif ≤10 mm; longè yon sèl ≤2 mm
Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè Zòn kimilatif ≤0.05% Zòn kimilatif ≤0.05% Zòn kimilatif ≤0.1%
Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè Okenn   Zòn kimilatif ≤3%
Enklizyon Kabòn Vizyèl Zòn kimilatif ≤0.05%   Zòn kimilatif ≤3%
Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè Okenn   Longè kimilatif ≤1 dyamèt wafer
Chips kwen pa limyè entansite segondè Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè   5 otorize, ≤1 mm chak
Kontaminasyon Sifas Silisyòm Pa Limyè Entansite Segondè Okenn    
Dislokasyon vis filetaj ≤500 cm⁻² Pa disponib  
Anbalaj Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer

Fèy done 4 pous HPSI tip SiC wafer la

 

Fèy done 4 pous HPSI tip SiC wafer la
Paramèt Klas Pwodiksyon MPD Zewo (Klas Z) Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P) Klas Enbesil (Klas D)
Dyamèt   99.5–100.0 milimèt  
Epesè (4H-Si) 500 µm ±20 µm   500 µm ±25 µm
Oryantasyon wafè Aks ekstèn: 4.0° nan direksyon <11-20> ±0.5° pou 4H-N; Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-Si
Dansite mikwopip (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Rezistivite (4H-Si) ≥1E9 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Oryantasyon Plat Prensipal (10-10) ±5.0°
Longè Plat Prensipal 32.5 milimèt ±2.0 milimèt
Longè plat segondè 18.0 milimèt ±2.0 milimèt
Oryantasyon Plat Segondè Silisyòm fas anlè: 90° CW soti nan plat prensipal la ±5.0°
Eksklizyon kwen   3 milimèt  
LTV/TTV/Chanjman banza ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Asperite (fas C) Polonè Ra ≤1 nm  
Asperite (figi Si) CMP Ra ≤0.2 nm Ra ≤0.5 nm
Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè Okenn   Longè kimilatif ≤10 mm; longè yon sèl ≤2 mm
Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè Zòn kimilatif ≤0.05% Zòn kimilatif ≤0.05% Zòn kimilatif ≤0.1%
Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè Okenn   Zòn kimilatif ≤3%
Enklizyon Kabòn Vizyèl Zòn kimilatif ≤0.05%   Zòn kimilatif ≤3%
Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè Okenn   Longè kimilatif ≤1 dyamèt wafer
Chips kwen pa limyè entansite segondè Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè   5 otorize, ≤1 mm chak
Kontaminasyon Sifas Silisyòm Pa Limyè Entansite Segondè Okenn   Okenn
Dislokasyon vis fil ≤500 cm⁻² Pa disponib  
Anbalaj   Kasèt plizyè wafer oswa veso yon sèl wafer  

Aplikasyon wafer SiC a

 

  • Modil pouvwa wafer SiC pou envèstisè EV yo
    MOSFET ak dyòd ki baze sou wafer SiC ki konstwi sou substrat wafer SiC kalite siperyè bay pèt komitasyon ki ba anpil. Lè yo itilize teknoloji wafer SiC a, modil pouvwa sa yo opere nan vòltaj ak tanperati ki pi wo, sa ki pèmèt envèstisè traksyon ki pi efikas. Entegrasyon moule wafer SiC yo nan etap pouvwa yo diminye bezwen refwadisman ak anprint, sa ki montre tout potansyèl inovasyon wafer SiC a.

  • Aparèy RF ak 5G ki gen gwo frekans sou wafer SiC
    Anplifikatè ak switch RF ki fabrike sou platfòm waf SiC semi-izolan yo montre yon konduktivite tèmik ak yon vòltaj pann siperyè. Substra waf SiC a minimize pèt dyelèktrik nan frekans GHz yo, alòske fòs materyèl waf SiC a pèmèt yon operasyon ki estab nan kondisyon gwo puisans ak gwo tanperati—sa ki fè waf SiC a substra ki pi pito pou estasyon baz 5G ak sistèm rada pwochen jenerasyon an.

  • Substrat Optoelektwonik ak LED ki soti nan wafer SiC
    LED ble ak UV ki grandi sou substrats wafer SiC yo benefisye de yon ekselan matche rezo ak disipasyon chalè. Itilizasyon yon wafer SiC poli ak fas C asire kouch epitaksyèl inifòm, pandan ke dite natirèl wafer SiC a pèmèt yon rediksyon amann nan wafer la ak yon anbalaj aparèy serye. Sa fè wafer SiC platfòm prensipal la pou aplikasyon LED ki gen gwo puisans ak yon long dire lavi.

Kesyon ak repons sou wafer SiC yo

1. K: Kijan yo fabrike waf SiC yo?


A:

Waf SiC yo fabrikeEtap detaye yo

  1. Gato SiC yoPreparasyon Materyèl Bwit

    • Sèvi ak poud SiC ≥5N-grade (enpurte ≤1 ppm).
    • Pase nan yon paswa epi kwit li davans pou retire kabòn oswa konpoze azòt ki rete yo.

  1. SiCPreparasyon Kristal Grenn

    • Pran yon moso kristal sèl 4H-SiC, koupe l sou oryantasyon 〈0001〉 la pou rive nan yon epesè ~10 × 10 mm².

    • Poli presizyon pou Ra ≤0.1 nm epi make oryantasyon kristal la.

  2. SiCKwasans PVT (Transpò Vapè Fizik)

    • Chaje krisèl grafit la: anba a ak poud SiC, anwo a ak kristal grenn nan.

    • Evakye a 10⁻³–10⁻⁵ Torr oubyen ranpli ak elyòm ki gen anpil pite a 1 atm.

    • Chofe zòn sous la a 2100–2300 ℃, kenbe zòn grenn yo 100–150 ℃ pi fre.

    • Kontwole to kwasans lan a 1–5 mm/h pou balanse kalite ak pwodiksyon an.

  3. SiCRekwit lengote

    • Kwit lengote SiC ki fin grandi a nan yon tanperati 1600–1800 ℃ pandan 4–8 èdtan.

    • Objektif: soulaje estrès tèmik epi redwi dansite dislokasyon.

  4. SiCTranche wafer

    • Sèvi ak yon si fil dyaman pou koupe lengot la an waf ki gen yon epesè 0.5–1 mm.

    • Minimize vibrasyon ak fòs lateral pou evite mikwo-fant.

  5. SiCGofrBroyage ak polisaj

    • Broyage koryaspou retire domaj siyaj (agresif ~10–30 µm).

    • Broyage amannpou reyalize planite ≤5 µm.

    • Polisaj Chimik-Mekanik (CMP)pou rive nan yon fini tankou glas (Ra ≤0.2 nm).

  6. SiCGofrNetwayaj ak Enspeksyon

    • Netwayaj ultrasoniknan solisyon Piranha (H₂SO₄:H₂O₂), dlo DI, Lè sa a, IPA.

    • Espèktroskopi XRD/Ramanpou konfime politip la (4H, 6H, 3C).

    • Entèferometripou mezire planite (<5 µm) ak defòmasyon (<20 µm).

    • Sond kat pwenpou teste rezistivite (pa egzanp HPSI ≥10⁹ Ω·cm).

    • Enspeksyon defoanba mikwoskòp limyè polarize ak yon aparèy pou teste reyur.

  7. SiCGofrKlasifikasyon ak Tri

    • Klase waf yo pa politip ak kalite elektrik:

      • 4H-SiC tip N (4H-N): konsantrasyon transpòtè 10¹⁶–10¹⁸ cm⁻³

      • 4H-SiC Segondè Pite Semi-Izolan (4H-HPSI): rezistivite ≥10⁹ Ω·cm

      • 6H-SiC tip N (6H-N)

      • Lòt: 3C-SiC, tip P, elatriye.

  8. SiCGofrAnbalaj ak chajman

    • Mete yo nan bwat waf pwòp ki pa gen pousyè.

    • Etikete chak bwat ak dyamèt, epesè, politip, degre rezistivite, ak nimewo lo.

      Gato SiC yo

2. K: Ki avantaj prensipal plak SiC yo genyen parapò ak plak Silisyòm yo?


A: Konpare ak waf Silisyòm yo, waf SiC yo pèmèt:

  • Operasyon ki pi wo vòltaj(>1,200 V) ak pi ba rezistans-liyman.

  • Pi wo estabilite tanperati(>300 °C) ak amelyorasyon nan jesyon tèmik.

  • Vitès chanjman ki pi rapidavèk pi ba pèt komitasyon, diminye refwadisman nan nivo sistèm ak gwosè nan konvètisè pouvwa yo.

4. K: Ki domaj komen ki afekte rannman ak pèfòmans wafer SiC yo?


A: Defo prensipal nan waf SiC yo enkli mikwotiyo, dislokasyon plan bazal (BPD), ak reyur sifas. Mikwotiyo ka lakòz echèk katastwofik aparèy; BPD yo ogmante rezistans sou tan; epi reyur sifas yo lakòz waf la kraze oswa yon kwasans epitaksyal ki pòv. Se poutèt sa, enspeksyon rigoureux ak rediksyon domaj yo esansyèl pou maksimize rannman waf SiC la.

Dat piblikasyon: 30 jen 2025
Peze Antre pou chèche oubyen ESC pou fèmen