Gofr SiC 4 pous 6H Semi-Izolan SiC Substrates prim, rechèch, ak klas ansekan

Gofr SiC 4 pous 6H Substra SiC semi-izolan, kalite premye klas, rechèch, ak klas fo. Imaj prezante.

Deskripsyon kout:

Substra semi-izole Silisyòm karbid la fòme pa koupe, fanm, polisaj, netwayaj ak lòt teknoloji pwosesis apre kwasans kristal Silisyòm karbid semi-izole a. Yon kouch oswa yon kouch kristal miltikouch grandi sou substra a ki satisfè egzijans kalite yo kòm epitaksi, epi answit aparèy mikwo ond RF la fèt lè yo konbine konsepsyon sikwi a ak anbalaj la. Disponib kòm substra monokristal Silisyòm karbid semi-izole 2 pous 3 pous 4 pous 6 pous 8 pous endistriyèl, rechèch ak tès klas.

Voye yon imèl ban nou

Karakteristik

Espesifikasyon pwodwi

Klas			Klas Pwodiksyon MPD Zewo (Klas Z)			Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P)		Klas Enbesil (Klas D)
Dyamèt			99.5 milimèt ~ 100.0 milimèt
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Oryantasyon wafè			Aks ki pa sou: 4.0° nan direksyon <1120> ±0.5° pou 4H-N, Sou aks: <0001>±0.5° pou 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 santimèt^-2		≤15 santimèt^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Oryantasyon Plat Prensipal		{10-10} ±5.0°
Longè Plat Prensipal		32.5 mm ± 2.0 mm
Longè plat segondè		18.0 mm ± 2.0 mm
Oryantasyon Plat Segondè		Fas Silisyòm anlè: 90° nan sans orè apati de plat Prime ±5.0°
Eksklizyon kwen		3 milimèt
LTV/TTV/Banza/Chèn		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Aspèrite			Figi C				Polonè		Ra≤1 nm
			Si figi	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè		Okenn						Longè kimilatif ≤ 10 mm, yon sèl longè ≤2 mm
Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè		Zòn kimilatif ≤0.05%						Zòn kimilatif ≤0.1%
Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè		Okenn						Zòn kimilatif ≤3%
Enklizyon Kabòn Vizyèl		Zòn kimilatif ≤0.05%						Zòn kimilatif ≤3%
Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè		Okenn						Longè kimilatif ≤1 * dyamèt wafer la
Edge Chips High By Entansite Light		Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè						5 otorize, ≤1 mm chak
Kontaminasyon Silisyòm Sifas Pa Gwo Entansite		Okenn
Anbalaj		Kasèt plizyè wafer oswa veso wafer sèl