2 pous Silisyòm carbure substrate 6H-N doub-sided poli dyamèt 50.8mm pwodiksyon klas rechèch klas

2 pous Silisyòm carbure substrate 6H-N double-sided poli dyamèt 50.8mm pwodiksyon klas rechèch klas En Imaj

Deskripsyon kout:

Silisyòm Carbide (SiC), ke yo rele tou carborundum, se yon semi-conducteurs ki gen Silisyòm ak kabòn ak fòmil chimik SiC. SiC yo itilize nan aparèy elektwonik semi-conducteurs ki opere nan tanperati ki wo oswa vòltaj segondè, oswa tou de. SiC se tou youn nan eleman yo ki ap dirije enpòtan, li se yon substra popilè pou ap grandi aparèy GaN, epi li sèvi tou kòm yon gaye chalè nan wo- pouvwa dirije.
Wafers carbure Silisyòm yo se yon materyèl pèfòmans segondè yo itilize nan pwodiksyon an nan aparèy elektwonik. Li fèt ak yon kouch carbure Silisyòm nan yon bòl kristal Silisyòm epi li disponib nan diferan klas, kalite ak fini sifas yo. Wafers yo gen yon plat nan Lambda / 10, ki asire bon jan kalite ki pi wo a ak pèfòmans pou aparèy elektwonik ki fèt ak wafers. Wafers carbure Silisyòm yo ideyal pou itilize nan elektwonik pouvwa, teknoloji ki ap dirije ak detèktè avanse. Nou bay kalite siperyè Silisyòm carbure wafers (sic) pou endistri elektwonik ak fotonik.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Sa ki annapre yo se karakteristik sa yo nan wafer carbure Silisyòm 2 pous:

1. Pi bon rezistans radyasyon: SIC wafers gen pi fò rezistans radyasyon, fè yo apwopriye pou itilize nan anviwònman radyasyon. Egzanp yo enkli veso espasyèl ak enstalasyon nikleyè.

2. Pi wo dite: SIC gaufrèt yo pi rèd pase Silisyòm, ki amelyore durability nan gaufre pandan pwosesis.

3. Pi ba konstan dyelèktrik: konstan dyelèktrik nan SIC wafers se pi ba pase sa yo ki nan Silisyòm, ki ede diminye kapasite parazit nan aparèy la ak amelyore pèfòmans-wo frekans.

4. Pi wo satire elèktron drift vitès: SIC wafers gen yon pi wo satire elèktron drift vitès pase Silisyòm, bay aparèy SIC yon avantaj nan aplikasyon pou wo-frekans.

5. Pi wo dansite pouvwa: Avèk karakteristik ki anwo yo, aparèy wafer SIC ka reyalize pi wo pwodiksyon pouvwa nan yon gwosè ki pi piti.

2inch Silisyòm carbure wafer gen plizyè aplikasyon.
1. Elektwonik pouvwa: SiC wafers yo lajman ki itilize nan pouvwa ekipman elektwonik tankou konvètisè pouvwa, varyateur, ak switch wo-vòltaj akòz vòltaj segondè pann yo ak karakteristik pèt pouvwa ki ba.

2. Machin elektrik: Silisyòm carbure wafers yo te itilize nan elektwonik pouvwa machin elektrik pou amelyore efikasite epi redwi pwa, sa ki lakòz pi vit chaje ak pi long ranje kondwi.

3. Enèji renouvlab: Silisyòm carbure wafers jwe yon wòl enpòtan anpil nan aplikasyon enèji renouvlab tankou varyateur solè ak sistèm pouvwa van, amelyore efikasite konvèsyon enèji ak fyab.

4.Aerospace ak defans: SiC wafers yo esansyèl nan endistri ayewospasyal ak defans pou tanperati ki wo, gwo pouvwa ak aplikasyon pou radyasyon rezistan, ki gen ladan sistèm pouvwa avyon ak sistèm rada.

ZMSH bay sèvis personnalisation pwodwi pou wafers carbure Silisyòm nou yo. Wafers nou yo te fè soti nan bon jan kalite kouch carbure Silisyòm ki soti nan Lachin asire durability ak fyab. Kliyan yo ka chwazi nan seleksyon nou an nan gwosè wafer ak espesifikasyon yo satisfè bezwen espesifik yo.

Silisyòm Carbide Wafers nou yo vini nan diferan modèl ak gwosè, modèl la se Silisyòm Carbide.

Nou ofri yon seri de tretman sifas ki gen ladan yon sèl / doub polisaj bò ak sifas brutality ≤1.2nm ak flatness Lambda / 10. Nou ofri tou opsyon rezistans segondè / ba ki ka Customized selon kondisyon ou yo. EPD nou an ≤1E10/cm2 asire ke wafers nou yo satisfè estanda endistri ki pi wo yo.

Nou konsène chak detay nan pake a, netwayaj, anti-estatik, tretman chòk .Dapre kantite ak fòm pwodwi a, nou pral pran yon pwosesis anbalaj diferan! Prèske pa kasèt wafer sèl oswa 25pcs kasèt nan chanm netwayaj 100 klas.