Substra carbure Silisyòm 2 pous 6H-N doub-fas poli dyamèt 50.8mm klas pwodiksyon klas rechèch

Substra 2 pous Silisyòm carbure 6H-N doub fas poli dyamèt 50.8mm klas pwodiksyon klas rechèch Imaj prezante

Deskripsyon kout:

Silisyòm carbure (SiC), ke yo rele tou carborundum, se yon semi-kondiktè ki gen Silisyòm ak kabòn ak fòmil chimik SiC. SiC yo itilize nan aparèy elektwonik semi-kondiktè ki fonksyone nan tanperati ki wo oswa vòltaj ki wo, oswa toude. SiC se youn nan konpozan LED enpòtan yo tou, li se yon substra popilè pou fè aparèy GaN grandi, epi li sèvi tou kòm yon difizè chalè nan LED ki gen gwo pouvwa.
Plak Silisyòm kabid yo se yon materyèl pèfòmans segondè yo itilize nan pwodiksyon aparèy elektwonik. Li fèt ak yon kouch Silisyòm kabid nan yon dòm kristal Silisyòm epi li disponib nan diferan klas, kalite ak fini sifas. Plak yo gen yon planè Lambda/10, ki asire pi bon kalite ak pèfòmans pou aparèy elektwonik ki fèt ak plak. Plak Silisyòm kabid yo ideyal pou itilize nan elektwonik pouvwa, teknoloji LED ak detèktè avanse. Nou bay plak Silisyòm kabid (sic) kalite siperyè pou endistri elektwonik ak fotonik yo.

Voye yon imèl ban nou

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Men karakteristik yon waf carbure Silisyòm 2 pous:

1. Pi bon rezistans radyasyon: Plak SIC yo gen pi gwo rezistans radyasyon, sa ki fè yo apwopriye pou itilizasyon nan anviwònman radyasyon. Kèk egzanp gen ladan veso espasyal ak enstalasyon nikleyè.

2. Pi gwo dite: Gato SIC yo pi rèd pase Silisyòm, sa ki amelyore rezistans gato yo pandan pwosesis la.

3. Konstan dyelèktrik ki pi ba: Konstan dyelèktrik waf SIC yo pi ba pase sa ki nan Silisyòm, sa ki ede diminye kapasitans parazit nan aparèy la epi amelyore pèfòmans frekans segondè.

4. Pi gwo vitès derive elektwon satire: Gato SIC yo gen yon vitès derive elektwon satire ki pi wo pase Silisyòm, sa ki bay aparèy SIC yo yon avantaj nan aplikasyon pou gwo frekans.

5. Pi gwo dansite pouvwa: Avèk karakteristik ki anwo yo, aparèy wafer SIC yo ka reyalize pi gwo pwodiksyon pouvwa nan yon gwosè ki pi piti.

Wafer 2 pous carbure Silisyòm gen plizyè aplikasyon.
1. Elektwonik pouvwa: Gato SiC yo lajman itilize nan ekipman elektwonik pouvwa tankou konvètisè pouvwa, envèstisè, ak switch vòltaj wo akòz vòltaj pann segondè yo ak karakteristik pèt pouvwa ki ba.

2. Veyikil elektrik: Yo itilize tranch carbure Silisyòm nan elektwonik pouvwa machin elektrik pou amelyore efikasite epi diminye pwa, sa ki lakòz yon chajman pi rapid ak yon distans kondwi ki pi long.

3. Enèji renouvlab: Gato carbure Silisyòm yo jwe yon wòl vital nan aplikasyon enèji renouvlab tankou envèstisè solè ak sistèm enèji van, amelyore efikasite ak fyab konvèsyon enèji.

4. Aerospace ak Defans: Gato SiC yo esansyèl nan endistri aerospace ak defans pou aplikasyon ki reziste tanperati ki wo, gwo pouvwa ak radyasyon, tankou sistèm pouvwa avyon ak sistèm rada.

ZMSH bay sèvis personnalisation pwodwi pou waf silikon carbure nou yo. Waf nou yo fèt ak kouch carbure silikon kalite siperyè ki soti nan Lachin pou asire rezistans ak fyab. Kliyan yo ka chwazi nan seleksyon gwosè ak espesifikasyon waf nou yo pou satisfè bezwen espesifik yo.

Gato Silisyòm Carbide nou yo vini nan diferan modèl ak gwosè, modèl la se Silisyòm Carbide.

Nou ofri yon seri tretman sifas tankou polisaj yon sèl/doub fas ak yon sifas ki gen yon aspè brital ≤1.2nm ak yon planè Lambda/10. Nou ofri tou opsyon rezistivite wo/ba ke nou ka pèsonalize selon bezwen ou yo. EPD nou an ki ≤1E10/cm2 asire ke waf nou yo satisfè pi wo estanda endistri yo.

Nou konsidere chak detay nan anbalaj la, netwayaj, anti-estatik, tretman chòk. Selon kantite ak fòm pwodwi a, nou pral pran yon pwosesis anbalaj diferan! Prèske pa kasèt wafer endividyèl oswa kasèt 25pcs nan chanm netwayaj 100 degre.