Modèl AlN 50.8mm/100mm sou modèl NPSS/FSS AlN sou safi
AlN-On-Sapphire
AlN-On-Sapphire ka itilize pou fè yon varyete aparèy foto-elektrik, tankou:
1. Ki ap dirije chips: Chip ki ap dirije yo anjeneral te fè nan fim nitrure aliminyòm ak lòt materyèl.Efikasite ak estabilite led yo ka amelyore lè w itilize wafers AlN-On-Sapphire kòm substra chips ki ap dirije yo.
2. Lasers: AlN-On-Sapphire wafers ka itilize tou kòm substrats pou lazè, ki souvan itilize nan tretman medikal, kominikasyon ak materyèl.
3. Selil solè: Envantè selil solè mande pou itilize materyèl tankou nitrure aliminyòm.AlN-On-Sapphire kòm yon substra ka amelyore efikasite ak lavi selil solè yo.
4. Lòt aparèy optoelectronic: AlN-On-Sapphire wafers ka itilize tou pou fabrike fotodetektè, aparèy optoelectronic, ak lòt aparèy optoelectronic.
An konklizyon, wafers AlN-On-Sapphire yo lajman ki itilize nan jaden opto-elektrik akòz konduktiviti segondè yo tèmik, estabilite chimik segondè, pèt ki ba ak pwopriyete optik ekselan.
50.8mm/100mm AlN Modèl sou NPSS/FSS
| Atik | Remak | |||
| Deskripsyon | AlN-on-NPSS modèl | AlN-on-FSS modèl | ||
| Wafer dyamèt | 50.8mm, 100mm | |||
| Substra | c-avyon NPSS | c-plane Planar Sapphire (FSS) | ||
| Epesè substrate | 50.8mm, 100mmc-avyon Planar Sapphire (FSS) 100mm: 650 um | |||
| Epesè AIN epi-kouch | 3 ~ 4 um (sib: 3.3um) | |||
| Konduktivite | Izolan | |||
| Sifas | Kòm grandi | |||
| RMS <1nm | RMS <2nm | |||
| Dèyè | Grinded | |||
| FWHM(002)XRC | <150 arcsec | <150 arcsec | ||
| FWHM(102)XRC | <300 arcsec | <300 arcsec | ||
| Eksklizyon Edge | <2mm | <3mm | ||
| Oryantasyon prensipal plat | yon-avyon+0.1° | |||
| Longè plat prensipal | 50.8mm: 16+/-1mm 100mm: 30+/-1mm | |||
| Pake | Pake nan bwat anbake oswa yon sèl veso wafer | |||
Dyagram detaye
