4 pous segondè pite Al2O3 99.999% safi substra wafer Dia101.6 × 0.65mmt ak Longè plat Prensipal
Deskripsyon
Espesifikasyon komen nan wafers safi 4-pous yo prezante jan sa a:
Epesè: epesè safi safi komen se ant 0.2 milimèt ak 2 milimèt, ak epesè espesifik kapab personnalisé selon kondisyon kliyan.
Plasman Edge: Anjeneral gen yon ti seksyon nan kwen an nan wafer la ki rele "kwen plasman an" ki pwoteje sifas la wafer ak kwen, epi li anjeneral amorphe.
Preparasyon sifas yo: Wafers safi komen yo se mekanikman tè ak chimikman mekanikman poli pou lis sifas la.
Pwopriyete sifas yo: Sifas safi safi yo anjeneral gen bon pwopriyete optik, tankou refleksyon ki ba ak endèks refraktif ki ba, pou amelyore pèfòmans aparèy la.
Aplikasyon
● Substra kwasans pou III-V ak II-VI konpoze
● Elektwonik ak optoelektwonik
● aplikasyon IR
● Silisyòm sou safi sikwi entegre (SOS)
● Radyo Frekans entegre Circuit(RFIC)
Spesifikasyon
| Atik | 4-pous C-avyon (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Materyèl kristal | 99,999%, pite segondè, monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Epi-Ready | |
| Oryantasyon Sifas | C-avyon (0001) | |
| C-avyon off-ang nan direksyon M-aks 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 100.0 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 650 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Prensipal Flat | A-avyon (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè plat prensipal | 30.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Single Side poli | Sifas devan | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas tounen | Fine tè, Ra = 0.8 μm a 1.2 μm |
| Double Side poli | Sifas devan | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas tounen | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOW | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Klas 100 netwayaj sal pwòp ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa yon sèl anbalaj moso. | ||
Nou gen anpil ane eksperyans nan endistri pwosesis safi. Ki gen ladan mache founisè Chinwa a, osi byen ke mache demann entènasyonal la. Si ou gen nenpòt bezwen, tanpri ou lib pou kontakte nou.
Dyagram detaye
