4 pous gwo pite Al2O3 99.999% Safi substrat wafer Dia101.6 × 0.65mmt ak Prensipal Longè Plat
Deskripsyon
Espesifikasyon komen pou waflè safi 4 pous yo prezante jan sa a:
Epesè: Epesè plak safi komen yo se ant 0.2 mm ak 2 mm, epi epesè espesifik la ka Customized selon bezwen kliyan yo.
Plasman Bò: Anjeneral, gen yon ti seksyon nan kwen waf la yo rele "bò plasman" ki pwoteje sifas waf la ak kwen an, epi ki anjeneral amorf.
Preparasyon sifas: Gato safi komen yo moulen mekanikman epi poli chimikman pou lis sifas la.
Pwopriyete sifas: Sifas plak safi yo anjeneral gen bon pwopriyete optik, tankou refleksyon ki ba ak endis refraksyon ki ba, pou amelyore pèfòmans aparèy la.
Aplikasyon yo
● Substra kwasans pou konpoze III-V ak II-VI yo
● Elektwonik ak optoelektwonik
● Aplikasyon IR yo
● Sikwi entegre Silisyòm sou Safi (SOS)
● Sikwi Entegre Frekans Radyo (RFIC)
Espesifikasyon
| Atik | 4 pous C-plane(0001) 650μm waf safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 100.0 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 650 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 30.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BAY | < 20 μm | |
| CHÈN | < 20 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oubyen anbalaj yon sèl moso. | ||
Nou gen plizyè ane eksperyans nan endistri pwosesis safi a. Sa gen ladan mache founisè Chinwa a, osi byen ke mache demann entènasyonal la. Si ou gen nenpòt bezwen, tanpri pa ezite kontakte nou.
Dyagram detaye
