4 pous Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Aplikasyon
● Substra kwasans pou III-V ak II-VI konpoze.
● Elektwonik ak optoelektwonik.
● aplikasyon IR.
● Silisyòm sou Sapphire Integrated Circuit(SOS).
● Radyo Frekans Integrated Circuit(RFIC).
Nan pwodiksyon ki ap dirije, safi safi yo itilize kòm yon substra pou kwasans kristal nitrure galyòm (GaN), ki emèt limyè lè yo aplike yon kouran elektrik. Safi se yon materyèl substrate ideyal pou kwasans GaN paske li gen yon estrikti kristal ki sanble ak koyefisyan ekspansyon tèmik ak GaN, ki minimize domaj ak amelyore kalite kristal.
Nan optik, wafers safi yo itilize kòm fenèt ak lantiy nan anviwònman wo-presyon ak tanperati wo, osi byen ke nan sistèm D 'enfrawouj, paske nan transparans segondè yo ak dite.
Spesifikasyon
| Atik | 4-pous C-avyon (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Materyèl kristal | 99,999%, pite segondè, monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Epi-Ready | |
| Oryantasyon Sifas | C-avyon (0001) | |
| C-avyon off-ang nan direksyon M-aks 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 100.0 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 650 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Prensipal Flat | A-avyon (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè plat prensipal | 30.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Single Side poli | Sifas devan | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas tounen | Fine tè, Ra = 0.8 μm a 1.2 μm |
| Double Side poli | Sifas devan | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas tounen | Epi-poli, Ra <0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOW | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Klas 100 netwayaj sal pwòp ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa yon sèl anbalaj moso. | ||
Anbalaj & Shipping
Anjeneral pale, nou bay pake a pa bwat kasèt 25pcs; nou menm tou nou ka chaje pa yon sèl veso wafer anba chanm netwayaj 100 klas selon kondisyon kliyan an.
Dyagram detaye
