4 pous Safi Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Aplikasyon yo
● Substrat kwasans pou konpoze III-V ak II-VI.
● Elektwonik ak optoelektwonik.
● Aplikasyon IR.
● Sikwi entegre Silisyòm sou Safi (SOS).
● Sikwi Entegre Frekans Radyo (RFIC).
Nan pwodiksyon LED, yo itilize tranch safi kòm yon substra pou kwasans kristal nitrid galyòm (GaN), ki emèt limyè lè yo aplike yon kouran elektrik. Safi se yon materyèl substra ideyal pou kwasans GaN paske li gen yon estrikti kristal ak yon koyefisyan ekspansyon tèmik ki sanble ak GaN, sa ki minimize domaj epi amelyore kalite kristal la.
Nan optik, yo itilize tranch safi kòm fenèt ak lantiy nan anviwònman ki gen gwo presyon ak gwo tanperati, osi byen ke nan sistèm imaj enfrawouj, akòz gwo transparans ak dite yo.
Espesifikasyon
| Atik | 4 pous C-plane(0001) 650μm Wafers Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 100.0 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 650 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 30.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BAY | < 20 μm | |
| CHÈN | < 20 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oubyen anbalaj yon sèl moso. | ||
Anbalaj ak anbake
Anjeneral, nou bay pake a nan bwat kasèt 25 moso; nou kapab tou chaje nan yon sèl veso wafer anba yon chanm netwayaj 100 degre selon egzijans kliyan an.
Dyagram detaye
