4 pous SiC Wafers 6H Semi-Izolan SiC Substrats premye, rechèch, ak klas egare
Spesifikasyon pwodwi
| Klas | Zewo MPD Pwodiksyon Klas (Z Grade) | Klas pwodiksyon estanda (Klas P) | Klas enbesil (Klas D) | ||||||||
| Dyamèt | 99.5 mm ~ 100.0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| Oryantasyon wafer |
Off aks : 4.0 ° nan direksyon < 1120 > ± 0.5 ° pou 4H-N, Sou aks : <0001> ± 0.5 ° pou 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Oryantasyon Prensipal Flat | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Longè plat prensipal | 32.5 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Longè plat segondè | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Oryantasyon Segondè Flat | Silisyòm fas anlè: 90° CW. soti nan Premye plat ±5.0° | ||||||||||
| Eksklizyon Edge | 3 mm | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| Brutalizasyon | C figi | Polonè | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si figi | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Fant Edge pa limyè entansite segondè | Okenn | Kimilatif longè ≤ 10 mm, sèl longè≤2 mm | |||||||||
| Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.1% | |||||||||
| Zòn politip pa limyè entansite segondè | Okenn | Zòn kimilatif ≤3% | |||||||||
| Enklizyon vizyèl Kabòn | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤3% | |||||||||
| Silisyòm sifas rayures pa gwo entansite limyè | Okenn | Kimilatif longè≤1＊dyamèt wafer | |||||||||
| Chips Edge segondè pa limyè entansite | Okenn pèmèt ≥0.2 mm lajè ak pwofondè | 5 pèmèt, ≤1 mm chak | |||||||||
| Silisyòm Sifas kontaminasyon pa gwo entansite | Okenn | ||||||||||
| Anbalaj | Kasèt milti-wafer oswa yon sèl veso wafer | ||||||||||
Dyagram detaye
Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou
