Gofr SiC 4 pous 6H Semi-Izolan SiC Substrates prim, rechèch, ak klas ansekan
Espesifikasyon pwodwi
| Klas | Klas Pwodiksyon MPD Zewo (Klas Z) | Klas Pwodiksyon Estanda (Klas P) | Klas Enbesil (Klas D) | ||||||||
| Dyamèt | 99.5 milimèt ~ 100.0 milimèt | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm ± 20 μm | 500 μm ± 25 μm | |||||||||
| Oryantasyon wafer |
Aks deyò: 4.0° nan direksyon <1120> ±0.5° pou 4H-N, Sou aks: <0001>±0.5° pou 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 santimèt-2 | ≤15 santimèt-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Oryantasyon Plat Prensipal | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Longè Plat Prensipal | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||||||||||
| Longè plat segondè | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||||||||
| Oryantasyon Plat Segondè | Fas Silisyòm anlè: 90° nan sans orè apati de plat Prime ±5.0° | ||||||||||
| Eksklizyon kwen | 3 milimèt | ||||||||||
| LTV/TTV/Banza/Chèn | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| Aspèrite | Figi C | Polonè | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si figi | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Fant sou kwen akòz limyè entansite segondè | Okenn | Longè kimilatif ≤ 10 mm, yon sèl longè ≤2 mm | |||||||||
| Plak Egzagòn Pa Limyè Entansite Segondè | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤0.1% | |||||||||
| Zòn Politip pa Limyè Entansite Segondè | Okenn | Zòn kimilatif ≤3% | |||||||||
| Enklizyon Kabòn Vizyèl | Zòn kimilatif ≤0.05% | Zòn kimilatif ≤3% | |||||||||
| Reyur sou sifas Silisyòm akòz limyè entansite segondè | Okenn | Longè kimilatif ≤1 * dyamèt wafer la | |||||||||
| Edge Chips High By Entansite Light | Pa gen okenn otorize ≥0.2 mm lajè ak pwofondè | 5 otorize, ≤1 mm chak | |||||||||
| Kontaminasyon Silisyòm Sifas Pa Gwo Entansite | Okenn | ||||||||||
| Anbalaj | Kasèt plizyè wafer oswa veso wafer sèl | ||||||||||
Dyagram detaye
Ekri mesaj ou a isit la epi voye l ban nou
