4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pwodiksyon Dummy grade Dia150mm substrat Silisyòm carbide
Espesifikasyon substrat carbure Silisyòm (SiC) 6 pous dyamèt
Klas | Zewo MPD | Pwodiksyon | Klas Rechèch | Klas enbesil |
Dyamèt | 150.0mm ± 0.25mm | |||
Epesè | 4H-N | 350um ± 25um | ||
4H-SI | 500um ± 25um | |||
Oryantasyon wafer | Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-SI | |||
Apatman Prensipal | {10-10}±5.0° | |||
Longè Plat Prensipal | 47.5mm ± 2.5mm | |||
Eksklizyon kwen | 3mm | |||
TTV/Banza/Chèn | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Dansite mikwopip | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Rezistivite 4H-N 4H-SI | 0.015~0.028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Aspèrite | Poli Ra ≤1nm CMP Ra ≤0.5nm | |||
#Fant akòz limyè ki gen gwo entansite | Okenn | 1 pèmèt, ≤2mm | Longè kimilatif ≤10mm, longè yon sèl ≤2mm | |
* Plak egzagonal pa limyè gwo entansite | Zòn kimilatif ≤1% | Zòn kimilatif ≤ 2% | Zòn kimilatif ≤ 5% | |
*Zòn politip pa limyè gwo entansite | Okenn | Zòn kimilatif ≤ 2% | Zòn kimilatif ≤ 5% | |
*&Gratye akòz limyè ki gen gwo entansite | 3 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif | 5 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif | 5 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif | |
Chip kwen | Okenn | 3 pèmèt, ≤0.5mm chak | 5 pèmèt, ≤1mm chak | |
Kontaminasyon pa limyè ki gen gwo entansite | Okenn
|
Lavant ak Sèvis Kliyan
Acha Materyèl
Depatman acha materyèl yo responsab pou rasanble tout matyè premyè ki nesesè pou pwodui pwodwi ou a. Trasabilite konplè tout pwodwi ak materyèl yo, ki gen ladan analiz chimik ak fizik yo toujou disponib.
Kalite
Pandan ak apre fabrikasyon oswa machinasyon pwodwi ou yo, depatman kontwòl kalite a enplike nan asire ke tout materyèl ak tolerans yo satisfè oswa depase spesifikasyon ou yo.
Sèvis
Nou fyè dèske nou gen yon ekip enjenyè lavant ki gen plis pase 5 an eksperyans nan endistri semi-kondiktè a. Yo resevwa fòmasyon pou reponn kesyon teknik epi tou pou ba ou devis alè pou bezwen ou yo.
Nou la bò kote w nenpòt ki lè lè w gen pwoblèm, epi n ap rezoud li nan 10 èdtan.
Dyagram detaye

