4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pwodiksyon egare klas Dia150mm Silisyòm carbure substrate
6 pous dyamèt Silisyòm carbure (SiC) spesifikasyon substra
Klas | Zewo MPD | Pwodiksyon | Rechèch Klas | Enbesil Klas |
Dyamèt | 150.0mm±0.25mm | |||
Epesè | 4H-N | 350um ± 25um | ||
4H-SI | 500um ± 25um | |||
Oryantasyon wafer | Sou aks:<0001>±0.5°pou 4H-SI | |||
Prensipal Flat | {10-10}±5.0° | |||
Longè plat prensipal | 47.5mm±2.5mm | |||
Eksklizyon Edge | 3mm | |||
TTV/Banza/Deformation | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Dansite Micropipe | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Rezistivite 4H-N 4H-SI | 0.015 ~ 0.028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Brutalizasyon | Polonè Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm | |||
#Fant pa limyè entansite segondè | Okenn | 1 pèmèt, ≤2mm | Kimilatif longè ≤10mm, yon sèl longè≤2mm | |
* Plak Egzagòn pa limyè entansite segondè | Zòn kimilatif ≤1% | Zòn kimilatif ≤ 2% | Zòn kimilatif ≤ 5% | |
* Zòn Polytype pa limyè entansite segondè | Okenn | Zòn kimilatif ≤ 2% | Zòn kimilatif ≤ 5% | |
* & rayures pa gwo entansite limyè | 3 rayures pou 1 x wafer dyamèt longè kimilatif | 5 rayures pou 1 x wafer dyamèt longè kimilatif | 5scratches a 1 x wafer dyamèt longè kimilatif | |
Chip Edge | Okenn | 3 pèmèt, ≤0.5mm chak | 5 pèmèt, ≤1mm chak | |
Kontaminasyon pa limyè entansite segondè | Okenn
|
Komèsyal ak Sèvis Kliyan
Achte materyèl
Depatman acha materyèl yo responsab pou rasanble tout matyè premyè ki nesesè pou pwodwi pwodwi ou. Trasabilite konplè nan tout pwodwi ak materyèl, ki gen ladan analiz chimik ak fizik yo toujou disponib.
Kalite
Pandan ak apre fabrike oswa machining nan pwodwi ou yo, depatman kontwòl kalite patisipe nan asire w ke tout materyèl ak tolerans satisfè oswa depase spesifikasyon ou a.
Sèvis
Nou fyè dèske nou gen anplwaye jeni lavant ki gen plis pase 5 ane eksperyans nan endistri semi-conducteurs. Yo resevwa fòmasyon pou reponn kesyon teknik yo epi pou yo bay sitasyon alè pou bezwen ou yo.
nou bò kote ou a nenpòt ki lè lè ou gen pwoblèm, epi rezoud li nan 10 èdtan.