4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pwodiksyon Dummy grade Dia150mm substrat Silisyòm carbide

Deskripsyon kout:

Nou ka bay substrat fim mens sipèkondiktè pou tanperati ki wo, fim mens mayetik ak substrat fim mens ferwoelektrik, kristal semi-kondiktè, kristal optik, materyèl kristal lazè, an menm tan bay oryantasyon, koupe kristal, fanm k'ap pile, polisaj ak lòt sèvis pwosesis. Substra SiC nou yo soti nan faktori Tankeblue nan Lachin.


Karakteristik

Espesifikasyon substrat carbure Silisyòm (SiC) 6 pous dyamèt

Klas

Zewo MPD

Pwodiksyon

Klas Rechèch

Klas enbesil

Dyamèt

150.0mm ± 0.25mm

Epesè

4H-N

350um ± 25um

4H-SI

500um ± 25um

Oryantasyon wafer

Sou aks: <0001> ±0.5° pou 4H-SI
Aks ki pa ale: 4.0° nan direksyon ±0.5° pou 4H-N

Apatman Prensipal

{10-10}±5.0°

Longè Plat Prensipal

47.5mm ± 2.5mm

Eksklizyon kwen

3mm

TTV/Banza/Chèn

≤15um/≤40um/≤60um

Dansite mikwopip

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Rezistivite 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Aspèrite

Poli Ra ≤1nm CMP Ra ≤0.5nm

#Fant akòz limyè ki gen gwo entansite

Okenn

1 pèmèt, ≤2mm

Longè kimilatif ≤10mm, longè yon sèl ≤2mm

* Plak egzagonal pa limyè gwo entansite

Zòn kimilatif ≤1%

Zòn kimilatif ≤ 2%

Zòn kimilatif ≤ 5%

*Zòn politip pa limyè gwo entansite

Okenn

Zòn kimilatif ≤ 2%

Zòn kimilatif ≤ 5%

*&Gratye akòz limyè ki gen gwo entansite

3 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif

5 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif

5 reyur pou rive nan 1 x dyamèt wafer longè kimilatif

Chip kwen

Okenn

3 pèmèt, ≤0.5mm chak

5 pèmèt, ≤1mm chak

Kontaminasyon pa limyè ki gen gwo entansite

Okenn

Lavant ak Sèvis Kliyan

Acha Materyèl

Depatman acha materyèl yo responsab pou rasanble tout matyè premyè ki nesesè pou pwodui pwodwi ou a. Trasabilite konplè tout pwodwi ak materyèl yo, ki gen ladan analiz chimik ak fizik yo toujou disponib.

Kalite

Pandan ak apre fabrikasyon oswa machinasyon pwodwi ou yo, depatman kontwòl kalite a enplike nan asire ke tout materyèl ak tolerans yo satisfè oswa depase spesifikasyon ou yo.

Sèvis

Nou fyè dèske nou gen yon ekip enjenyè lavant ki gen plis pase 5 an eksperyans nan endistri semi-kondiktè a. Yo resevwa fòmasyon pou reponn kesyon teknik epi tou pou ba ou devis alè pou bezwen ou yo.

Nou la bò kote w nenpòt ki lè lè w gen pwoblèm, epi n ap rezoud li nan 10 èdtan.

Dyagram detaye

Substrat carbure Silisyòm (1)
Substrat carbure Silisyòm (2)

  • Anvan:
  • Apre:

  • Ekri mesaj ou a isit la epi voye l ban nou