6 pous GaN-On-Sapphire
150mm 6inch GaN sou Silisyòm/Sapphire/SiC Epi-kouch wafer Gallium nitrure epitaxial wafer
Wafer substrate safi 6-pous la se yon materyèl semi-conducteur-wo kalite ki fòme ak kouch nitrure galyòm (GaN) grandi sou yon substra safi. Materyèl la gen ekselan pwopriyete transpò elektwonik epi li ideyal pou fabrike aparèy semi-kondiktè ki gen gwo pouvwa ak segondè-frekans.
Metòd fabrikasyon: Pwosesis fabrikasyon an enplike kouch GaN k ap grandi sou yon substra safi lè l sèvi avèk teknik avanse tankou metal-òganik depo chimik vapè (MOCVD) oswa epitaksi molekilè gwo bout bwa (MBE). Pwosesis depo a te pote soti nan kondisyon kontwole asire bon jan kalite kristal segondè ak fim inifòm.
6inch GaN-On-Sapphire aplikasyon: 6-pous safi substrate chips yo lajman ki itilize nan kominikasyon mikwo ond, sistèm rada, teknoloji san fil ak optoelektronik.
Gen kèk aplikasyon komen yo enkli
1. Rf pouvwa anplifikatè
2. Dirije endistri ekleraj
3. Ekipman kominikasyon rezo san fil
4. Aparèy elektwonik nan anviwònman tanperati ki wo
5. Aparèy optoelektwonik
Espesifikasyon pwodwi yo
- Gwosè: Dyamèt substra a se 6 pous (apeprè 150 mm).
- Bon jan kalite sifas: sifas la te tise byen poli pou bay bon jan kalite glas ekselan.
- Epesè: epesè kouch GaN ka Customized selon kondisyon espesifik.
- Anbalaj: Substra a ak anpil atansyon chaje ak materyèl anti-estatik pou anpeche domaj pandan transpò.
- Pozisyon bor: Substra a gen kwen pwezante espesifik ki fasilite aliyman ak operasyon pandan preparasyon aparèy.
- Lòt paramèt: Paramèt espesifik tankou mens, rezistivite ak konsantrasyon dopan yo ka ajiste selon kondisyon kliyan yo.
Avèk pwopriyete siperyè materyèl yo ak aplikasyon divès, 6-pous safi substrate wafers yo se yon chwa serye pou devlopman nan aparèy segondè-pèfòmans semi-conducteurs nan endistri divès kalite.
| Substra | 6" 1mm <111> p-tip Si | 6" 1mm <111> p-tip Si |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Bow | +/-45um | +/-45um |
| Krake | <5mm | <5mm |
| Vètikal BV | > 1000V | > 1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG konk. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilite | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Dyagram detaye
