6 pous SiC Epitaxiy wafer tip N/P aksepte Customized

Pwosesis preparasyon waf epitaksyal carbure Silisyòm lan se yon metòd ki itilize teknoloji Depozisyon Vapè Chimik (CVD). Men prensip teknik ak etap pwosesis preparasyon ki enpòtan yo:

Prensip teknik:

Depozisyon Vapè Chimik: Lè yo itilize gaz matyè premyè a nan faz gaz la, anba kondisyon reyaksyon espesifik, li dekonpoze epi depoze sou substra a pou fòme fim mens ki nesesè a.

Reyaksyon faz gaz: Atravè piroliz oswa reyaksyon krak, divès gaz matyè premyè nan faz gaz la chanje chimikman nan chanm reyaksyon an.

Etap pwosesis preparasyon an:

Tretman substrati: Substrati a sibi netwayaj sifas ak pretretman pou asire kalite ak kristalinite waf epitaksyal la.

Debogaj chanm reyaksyon an: ajiste tanperati, presyon ak to koule chanm reyaksyon an ansanm ak lòt paramèt pou asire estabilite ak kontwòl kondisyon reyaksyon yo.

Pwovizyon matyè premyè: founi matyè premyè gaz ki nesesè yo nan chanm reyaksyon an, melanje epi kontwole to koule a jan sa nesesè.

Pwosesis reyaksyon: Lè yo chofe chanm reyaksyon an, matyè premyè gazez la sibi yon reyaksyon chimik nan chanm lan pou pwodui depo yo vle a, sa vle di fim carbure Silisyòm.

Refwadisman ak dechaje: Nan fen reyaksyon an, tanperati a bese piti piti pou refwadi epi solidifye depo yo nan chanm reyaksyon an.

Rekwit ak pòs-tretman waf epitaksiyal la: waf epitaksiyal ki depoze a sibi yon rekwit epi yon pòs-tretman pou amelyore pwopriyete elektrik ak optik li yo.

Etap ak kondisyon espesifik nan pwosesis preparasyon waf epitaksyèl Silisyòm kabid la ka varye selon ekipman ak egzijans espesifik yo. Sa ki anwo a se sèlman yon koule ak prensip jeneral pwosesis la, operasyon espesifik la bezwen ajiste ak optimize selon sitiyasyon aktyèl la.