6inch SiC Epitaxiy wafer N / P kalite aksepte Customized

Deskripsyon kout:

yon bay 4, 6, 8 pous Silisyòm carbure epitaxial wafer ak sèvis fonderie epitaxial, pwodiksyon (600V ~ 3300V) aparèy pouvwa ki gen ladan SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT ak sou sa.

Nou ka bay wafers epitaxial SiC 4-pous ak 6-pous pou fabwikasyon nan aparèy pouvwa ki gen ladan SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO & IGBT soti nan 600V jiska 3300V.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Pwosesis preparasyon wafer epitaxial carbure Silisyòm se yon metòd ki itilize teknoloji depo chimik vapè (CVD).Sa ki annapre yo se prensip teknik ki enpòtan yo ak etap pwosesis preparasyon yo:

Prensip teknik:

Depozisyon vapè chimik: Sèvi ak gaz matyè premyè nan faz gaz la, nan kondisyon reyaksyon espesifik, li dekonpoze ak depoze sou substra a pou fòme fim mens vle a.

Reyaksyon gaz-faz: Atravè piroliz oswa reyaksyon fann, divès kalite gaz matyè premyè nan faz gaz la chanje chimikman nan chanm reyaksyon an.

Etap pwosesis preparasyon:

Tretman substrate: Substra a sibi netwayaj sifas ak pretretman pou asire bon jan kalite ak kristalinite wafer epitaxial la.

Reyaksyon chanm debogaj: ajiste tanperati, presyon ak pousantaj koule nan chanm reyaksyon an ak lòt paramèt asire estabilite ak kontwòl kondisyon reyaksyon yo.

Ekipman pou materyèl bwit: bay materyèl gaz yo mande yo nan chanm reyaksyon an, melanje ak kontwole to koule a jan sa nesesè.

Pwosesis reyaksyon: Pa chofe chanm reyaksyon an, materyèl gaz la sibi yon reyaksyon chimik nan chanm lan pou pwodui depo a vle, sa vle di fim carbure Silisyòm.

Refwadisman ak dechaje: Nan fen reyaksyon an, tanperati a piti piti bese pou refwadi ak solidifye depo yo nan chanm reyaksyon an.

Epitaxial wafer annealing ak pòs-pwosesis: wafer epitaxial depoze a se rkwit ak pòs-trete amelyore pwopriyete elektrik ak optik li yo.

Etap espesifik ak kondisyon pwosesis preparasyon wafer epitaxial carbure Silisyòm ka varye selon ekipman espesifik ak kondisyon yo.Pi wo a se sèlman yon koule pwosesis jeneral ak prensip, operasyon an espesifik bezwen ajiste ak optimize selon sitiyasyon aktyèl la.