8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive egare rechèch klas

Akòz pwopriyete inik fizik ak elektwonik li yo, yo itilize materyèl semiconductor wafer 200mm SiC pou kreye aparèy elektwonik segondè-pèfòmans, wo-tanperati, radyasyon-rezistan ak segondè-frekans. 8inch SiC substra pri ap diminye piti piti kòm teknoloji a vin pi avanse ak demann lan ap grandi. Dènye devlopman teknoloji mennen nan pwodiksyon echèl fabrikasyon nan 200mm SiC wafers. Avantaj prensipal yo nan materyèl semi-conducteurs SiC an konparezon ak Si ak GaAs: Fòs jaden elektrik 4H-SiC pandan pann lavalas se pi plis pase yon lòd nan grandè pi wo pase valè korespondan yo pou Si ak GaAs. Sa a mennen nan yon diminisyon siyifikatif nan Ron nan rezistans sou eta a. Ba sou-eta rezistivite, konbine avèk dansite aktyèl segondè ak konduktiviti tèmik, pèmèt itilize nan anpil ti mouri pou aparèy pouvwa. Segondè konduktiviti tèmik nan SiC diminye rezistans nan tèmik nan chip la. Pwopriyete elektwonik aparèy ki baze sou SiC wafers yo trè estab sou tan ak sou tanperati ki estab, ki asire segondè fyab nan pwodwi yo. Silisyòm carbure trè rezistan a radyasyon difisil, ki pa degrade pwopriyete elektwonik chip la. Tanperati opere limite anwo nan syèl la nan kristal la (plis pase 6000C) pèmèt ou kreye aparèy trè serye pou kondisyon fonksyònman difisil ak aplikasyon espesyal. Koulye a, nou ka bay ti pakèt 200mmSiC wafers piti piti ak kontinyèlman epi gen kèk stock nan depo a.