8 pous 200mm 4H-N SiC Wafer kondiktif mannken rechèch klas

Akòz inik pwopriyete fizik ak elektwonik li yo, yo itilize 200mm sic wafer materyèl semi-conducteurs yo itilize yo kreye pèfòmans-wo, segondè-tanperati, radyasyon ki reziste, ak aparèy elektwonik-wo frekans. 8inch pri substrate sic ap diminye piti piti kòm teknoloji a vin pi avanse ak demann lan ap grandi. Dènye devlopman teknoloji mennen nan manifakti echèl pwodiksyon nan 200mm gato sic. Avantaj prensipal yo nan Sic Wafer semi-conducteurs materyèl an konparezon ak SI ak GaAs gato: fòs la jaden elektrik nan 4H-SiC pandan pann lavalas se pi plis pase yon lòd nan grandè pi wo pase valè yo ki koresponn pou SI ak GaAs. Sa a mennen nan yon diminisyon enpòtan nan Ron la sou-eta rezistivite. Low sou-eta rezistivite, konbine avèk segondè dansite aktyèl ak konduktiviti tèmik, pèmèt itilize nan mouri piti anpil pou aparèy pouvwa. Segondè konduktiviti tèmik nan SiC diminye rezistans a tèmik nan chip la. Pwopriyete elektwonik nan aparèy ki baze nan gato SiC yo trè ki estab sou tan ak sou tanperati ki estab, ki asire segondè fyab nan pwodwi yo. Silisyòm carbure trè rezistan a radyasyon difisil, ki pa degrade pwopriyete yo elektwonik nan chip la. Segondè tanperati a opere nan kristal la (plis pase 6000C) pèmèt ou kreye aparèy trè serye pou kondisyon opere piman bouk ak aplikasyon espesyal. Kounye a, nou ka bay ti pakèt 200mmsic gato piti piti ak kontinyèlman epi yo gen kèk stock nan depo a.