Wafer kouvri ak lò, wafer safir, wafer Silisyòm, wafer SiC, 2 pous 4 pous 6 pous, epesè kouvri ak lò 10nm 50nm 100nm

Deskripsyon kout:

Wafers Kouvwi ak Lò nou yo disponib nan yon pakèt substrats, tankou wafers Silisyòm (Si), Safi (Al₂O₃), ak wafers Silisyòm Karbid (SiC). Wafers sa yo vini nan gwosè 2 pous, 4 pous, ak 6 pous epi yo kouvri ak yon kouch lò (Au) mens ki gen anpil pite. Kouch lò a disponib nan epesè ki soti nan 10nm rive nan 500nm, ak epesè pèsonalize ki adapte pou satisfè bezwen espesifik kliyan yo. Kouch lò a konplete pa yon fim adezyon ki fèt ak Krom (Cr), sa ki asire yon lyezon solid ant substrats la ak kouch lò a.
Wafer sa yo ki kouvri ak lò yo ideyal pou plizyè aplikasyon semi-kondiktè ak optoelektwonik, yo ofri yon konduktivite elektrik siperyè, yon disipasyon tèmik, yon rezistans korozyon ak yon dirabilite mekanik siperyè. Yo lajman itilize nan aparèy pèfòmans segondè kote estabilite, fyab ak pèfòmans alontèm enpòtan anpil.

Voye yon imèl ban nou

Karakteristik

Karakteristik kle yo

Karakteristik	Deskripsyon
Materyèl Substra	Silisyòm (Si), Safi (Al₂O₃), Silisyòm Carbide (SiC)
Epesè kouch lò	10nm, 50nm, 100nm, 500nm
Pite lò	99.999%pite pou pèfòmans optimal
Fim adezyon	Kwòm (Cr), 99.98% pite, asire yon adezyon solid
Sifas ki pa lis	Plizyè nm (bon jan kalite sifas lis pou aplikasyon presizyon)
Rezistans (Si Wafer)	1-30 Ohm/cm(selon kalite a)
Gwosè wafè yo	2 pous, 4 pous, 6 pous, ak gwosè pèsonalize
Epesè (Si Wafer)	275µm, 381µm, 525µm
TTV (Varyasyon Epesè Total)	≤20µm
Plat Prensipal (Si Wafer)	15.9 ± 1.65mmpou32.5 ± 2.5mm

Poukisa kouch lò esansyèl nan endistri semi-kondiktè a

Konduktivite elektrik
Lò se youn nan pi bon materyèl poukondiksyon elektrikWaf ki kouvri ak lò bay chemen ki ba rezistans, ki esansyèl pou aparèy semi-kondiktè ki bezwen koneksyon elektrik rapid ak ki estab.gwo pitean lò asire yon konduktivite optimal, minimize pèt siyal.

Rezistans korozyon
Lò seki pa korozivepi trè rezistan a oksidasyon. Sa fè li ideyal pou aplikasyon semi-kondiktè ki opere nan anviwònman difisil oswa ki sijè a tanperati ki wo, imidite, oswa lòt kondisyon koroziv. Yon waf kouvri ak lò ap kenbe pwopriyete elektrik li yo ak fyab li sou tan, bay yonlavi sèvis ki longpou aparèy kote yo itilize li yo.

Jesyon tèmik
Lò aekselan konduktivite tèmikasire ke chalè ki pwodui pandan fonksyònman aparèy semi-kondiktè yo gaye avèk efikasite. Sa a patikilyèman enpòtan pou aplikasyon ki gen gwo pouvwa tankouLED, elektwonik pouvwa, akaparèy optoelektwonik, kote chalè depase ka lakòz aparèy la echwe si li pa jere byen.

Durabilite mekanik
Kouch lò yo baypwoteksyon mekaniksou waf la, anpeche domaj sifas pandan manyen ak pwosesis. Kouch pwoteksyon anplis sa a asire ke waf yo kenbe entegrite estriktirèl ak fyab yo, menm nan kondisyon difisil.

Karakteristik apre kouch

Kalite Sifas Amelyore
Kouch lò a amelyorelis sifasnan waf la, ki enpòtan pougwo presizyonaplikasyon yo. Lasifas ki grajminimize a plizyè nanomèt, sa ki asire yon sifas san defo ideyal pou pwosesis tankoukoneksyon fil, soudaj, akfotolitografi.

Pwopriyete amelyorasyon pou lyezon ak soudaj
Kouch lò a amelyorepwopriyete lyezonnan waf la, sa ki fè li ideyal poukoneksyon filepilyezon flip-chipSa lakòz koneksyon elektrik ki an sekirite e ki dire lontan nanAnbalaj ICepiasanblaj semi-kondiktè.

Pa gen korozyon epi li dire lontan
Kouch lò a asire ke waf la ap rete san oksidasyon ak degradasyon, menm apre yon ekspozisyon pwolonje nan kondisyon anviwònman difisil. Sa kontribye nanestabilite alontèmnan dènye aparèy semi-kondiktè a.

Estabilite tèmik ak elektrik
Waf kouvri ak lò bay konsistansdisipasyon tèmikepikonduktivite elektrik, sa ki mennen nan pi bon pèfòmans akfyabliteaparèy yo sou tan, menm nan tanperati ekstrèm.

Paramèt

Pwopriyete	Valè
Materyèl Substra	Silisyòm (Si), Safi (Al₂O₃), Silisyòm Carbide (SiC)
Epesè kouch lò	10nm, 50nm, 100nm, 500nm
Pite lò	99.999%(segondè pite pou pèfòmans optimal)
Fim adezyon	Kwòm (Cr),99.98%pite
Sifas ki pa lis	Plizyè nanomèt
Rezistans (Si Wafer)	1-30 Ohm/cm
Gwosè wafè yo	2 pous, 4 pous, 6 pous, gwosè pèsonalize
Epesè wafer Si	275µm, 381µm, 525µm
TTV	≤20µm
Plat Prensipal (Si Wafer)	15.9 ± 1.65mmpou32.5 ± 2.5mm

Aplikasyon pou gaufret kouvri ak lò

Anbalaj semi-kondiktè
Yo itilize anpil gaufret kouvri ak lò nanAnbalaj IC, kote yokonduktivite elektrik, rezistans mekanik, akdisipasyon tèmikpwopriyete asire fyabentèkoneksyonepilyezonnan aparèy semi-kondiktè.

Fabrikasyon LED
Gato kouvri ak lò jwe yon wòl enpòtan nanfabrikasyon LED, kote yo amelyorejesyon tèmikepipèfòmans elektrikKouch lò a asire ke chalè ki pwodui pa LED gwo pwisans yo gaye byen, sa ki kontribye nan yon dire lavi ki pi long ak yon pi bon efikasite.

Aparèy Optoelektwonik
In optoelektwonik, yo itilize waflè kouvri ak lò nan aparèy tankoufotodetektè, dyòd lazè, akdetèktè limyèKouch lò a bay ekselankonduktivite tèmikepiestabilite elektrik, asire pèfòmans konsistan nan aparèy ki mande kontwòl presi sou limyè ak siyal elektrik yo.

Elektwonik pouvwa
Gofr kouvri ak lò yo esansyèl pouaparèy elektwonik pouvwa, kote gwo efikasite ak fyab enpòtan anpil. Waf sa yo asire estabilitekonvèsyon pouvwaepidisipasyon chalènan aparèy tankoutranzistò pouvwaepiregilatè vòltaj.

Mikwoelektwonik ak MEMS
In mikwoelektwonikepiMEMS (Sistèm Mikwo-Elektwomekanik), yo itilize waflè kouvri ak lò pou kreyekonpozan mikwoelektromekanikki mande anpil presizyon ak rezistans. Kouch lò a bay yon pèfòmans elektrik ki estab epipwoteksyon mekaniknan aparèy mikwoelektwonik sansib.

Kesyon yo poze souvan (Q&A)

K1: Poukisa pou itilize lò pou kouvri wafers yo?

A1:Yo itilize lò pou likonduktivite elektrik siperyè, rezistans korozyon, akjesyon tèmikpwopriyete yo. Li asirekoneksyon serye, dire lavi aparèy ki pi long, akpèfòmans konsistannan aplikasyon semi-kondiktè.

K2: Ki benefis ki genyen nan itilizasyon waflè kouvri ak lò nan aplikasyon semi-kondiktè?

A2:Waf kouvri ak lò baygwo fyab, estabilite alontèm, akpi bon pèfòmans elektrik ak tèmikYo amelyore toupwopriyete lyezonepi pwoteje kontoksidasyonepikorozyon.

Q3: Ki epesè kouch lò mwen ta dwe chwazi pou aplikasyon mwen an?

A3:Epesè ideyal la depann de aplikasyon espesifik ou a.10nmapwopriye pou aplikasyon presi ak delika, pandan y ap50nmpou100nmKouch yo itilize pou aparèy ki gen plis pouvwa.500nmka itilize pou aplikasyon pou travay lou ki mande kouch pi epè pourezistansepidisipasyon chalè.

Q4: Èske ou ka pèsonalize gwosè wafer yo?

A4:Wi, waflè yo disponib nan2 pous, 4 pous, ak6 pousgwosè estanda, epi nou kapab tou bay gwosè koutim pou satisfè bezwen espesifik ou yo.

K5: Kijan kouch lò a amelyore pèfòmans aparèy la?

A5:Lò amelyoredisipasyon tèmik, konduktivite elektrik, akrezistans korozyon, tout bagay sa yo kontribye nan yon pi gwo efikasite akaparèy semi-kondiktè seryeak yon dire lavi operasyonèl ki pi long.

K6: Kijan fim adezyon an amelyore kouch lò a?

A6:Lakwòm (Cr)fim adezyon an asire yon lyezon solid antkouch lòak lasubstrat, anpeche delaminasyon epi asire entegrite wafer la pandan pwosesis ak itilizasyon.

Konklizyon

Wafer Silisyòm, Safi, ak SiC nou yo ki kouvri ak lò ofri solisyon avanse pou aplikasyon semi-kondiktè, bay pi bon konduktivite elektrik, disipasyon tèmik, ak rezistans korozyon. Wafer sa yo ideyal pou anbalaj semi-kondiktè, fabrikasyon LED, optoelektwonik, ak plis ankò. Avèk lò ki gen gwo pite, epesè kouch personnalisable, ak ekselan rezistans mekanik, yo asire fyab alontèm ak pèfòmans konsistan nan anviwònman difisil.