GaN Epitaksi waf
-
GaN sou vè 4 pous: Opsyon vè personnalisable ki gen ladan JGS1, JGS2, BF33, ak kwatz òdinè
-
Nitrid Galyòm sou yon waf Silisyòm 4 pous 6 pous. Oryantasyon, rezistivite ak opsyon tip N/tip P pou substrat Si pèsonalize.
-
Wafè Epitaxial GaN-on-SiC Customized (100mm, 150mm) – Plizyè Opsyon Substra SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-sou-Dyaman Wafers 4 pous 6 pous Epesè epi total (mikwon) 0.6 ~ 2.5 oubyen Customized pou aplikasyon ki gen gwo frekans