12 pous Safir Wafer C-Plane SSP/DSP
Dyagram detaye
Entwodiksyon Safi
Wafer safi a se yon materyèl substrat monokristal ki fèt ak oksid aliminyòm sentetik (Al₂O₃) ki gen yon gwo pite. Gwo kristal safi yo grandi lè l sèvi avèk metòd avanse tankou Kyropoulos (KY) oswa Metòd Echanj Chalè (HEM), epi answit yo trete yo atravè koupe, oryantasyon, fanm k'ap pile, ak polisaj presizyon. Akòz pwopriyete fizik, optik ak chimik eksepsyonèl li yo, wafer safi a jwe yon wòl iranplasabl nan domèn semi-kondiktè, optoelektwonik, ak elektwonik konsomatè wo nivo.
Metòd Sentèz Safi Endispansab
| Metòd | Prensip | Avantaj | Aplikasyon prensipal yo |
|---|---|---|---|
| Metòd Verneuil la(Fizyon Flanm) | Poud Al₂O₃ ki gen anpil pite fonn nan yon flanm oksiidwojèn, ti gout yo vin solid kouch pa kouch sou yon grenn. | Pri ki ba, efikasite segondè, pwosesis relativman senp | Safi kalite bijou, materyèl optik byen bonè |
| Metòd Czochralski (CZ) | Yo fonn Al₂O₃ nan yon kriz, epi yo rale yon kristal grenn anlè dousman pou kristal la grandi. | Pwodui kristal relativman gwo ak bon entegrite | Kristal lazè, fenèt optik |
| Metòd Kyropoulos (KY) | Refwadisman kontwole dousman pèmèt kristal la grandi piti piti andedan kribib la. | Kapab fè kristal gwo gwosè, ki pa anba gwo estrès (plizyè dizèn kilogram oswa plis) grandi. | Substrat LED, ekran smartphone, konpozan optik |
| Metòd HEM(Echanj Chalè) | Refwadisman an kòmanse soti anlè krisòl la, kristal yo grandi anba soti nan grenn nan. | Pwodui kristal ki gwo anpil (jiska plizyè santèn kilogram) ak yon kalite inifòm. | Gwo fenèt optik, ayewospasyal, optik militè |
Oryantasyon Kristal
| Oryantasyon / Plan | Endèks Miller | Karakteristik | Aplikasyon prensipal yo |
|---|---|---|---|
| Plan C | (0001) | Pèpendikilè ak aks c a, sifas polè, atòm yo ranje inifòmman | LED, dyòd lazè, substrats epitaxial GaN (ki pi lajman itilize) |
| Avyon A | (11-20) | Paralèl ak aks c a, sifas ki pa polè, evite efè polarizasyon | Epitaksi GaN ki pa polè, aparèy optoelektwonik |
| Plan M | (10-10) | Paralèl ak aks c a, ki pa polè, simetri segondè | Epitaksi GaN pèfòmans segondè, aparèy optoelektwonik |
| Plan R | (1-102) | Enkline sou aks c a, ekselan pwopriyete optik | Fenèt optik, detektè enfrawouj, konpozan lazè |
Espesifikasyon Wafer Safi (Personnalisable)
| Atik | 1 pous C-plane(0001) 430μm Wafers Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 25.4 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 430 μm +/- 25 μm | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 5 μm | |
| BAY | < 5 μm | |
| CHÈN | < 5 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa anbalaj yon sèl moso. | ||
| Atik | 2 pous C-plane(0001) 430μm Wafer Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 50.8 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 430 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 16.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| BAY | < 10 μm | |
| CHÈN | < 10 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa anbalaj yon sèl moso. | ||
| Atik | Wafè Safi 3 pous C-plane(0001) 500μm | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 76.2 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 500 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 22.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 15 μm | |
| BAY | < 15 μm | |
| CHÈN | < 15 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa anbalaj yon sèl moso. | ||
| Atik | 4 pous C-plane(0001) 650μm Wafers Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 100.0 milimèt +/- 0.1 milimèt | |
| Epesè | 650 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 30.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BAY | < 20 μm | |
| CHÈN | < 20 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa anbalaj yon sèl moso. | ||
| Atik | Wafè Safi 6 pous C-plane(0001) 1300μm | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 150.0 milimèt +/- 0.2 milimèt | |
| Epesè | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Oryantasyon Plat Prensipal | Plan A (11-20) +/- 0.2° | |
| Longè Plat Prensipal | 47.0 milimèt +/- 1.0 milimèt | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| BAY | < 25 μm | |
| CHÈN | < 25 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| 25 moso nan yon sèl anbalaj kasèt oswa anbalaj yon sèl moso. | ||
| Atik | 8 pous C-plane(0001) 1300μm Wafers Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 200.0 milimèt +/- 0.2 milimèt | |
| Epesè | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| BAY | < 30 μm | |
| CHÈN | < 30 μm | |
| Netwayaj / Anbalaj | Netwayaj chanm pwòp klas 100 ak anbalaj vakyòm, | |
| Anbalaj yon sèl pyès. | ||
| Atik | 12 pous C-plane(0001) 1300μm Wafers Safi | |
| Materyèl Kristal | 99,999%, Segondè Pite, Monokristalin Al2O3 | |
| Klas | Premye, Pare pou Epi | |
| Oryantasyon Sifas | Plan C (0001) | |
| Plan C ki pa anfòm ak aks M lan 0.2 +/- 0.1° | ||
| Dyamèt | 300.0 milimèt +/- 0.2 milimèt | |
| Epesè | 3000 μm +/- 25 μm | |
| Yon sèl bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (SSP) | Sifas dèyè | Finman tè, Ra = 0.8 μm rive 1.2 μm |
| Doub bò poli | Sifas Devan | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| (DSP) | Sifas dèyè | Epi-poli, Ra < 0.2 nm (pa AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| BAY | < 30 μm | |
| CHÈN | < 30 μm | |
Pwosesis Pwodiksyon Wafer Safi
-
Kwasans Kristal
-
Kiltive boul safi (100–400 kg) lè l sèvi avèk metòd Kyropoulos (KY) nan founo kwasans kristal espesyal.
-
-
Forage ak Fòm Lingòt
-
Sèvi ak yon barik perçage pou trete boul la an lengote silendrik ki gen dyamèt 2-6 pous ak longè 50-200 mm.
-
-
Premye Rekui
-
Enspekte lengote yo pou domaj epi fè premye rekui a nan tanperati ki wo pou soulaje estrès entèn la.
-
-
Oryantasyon Kristal
-
Detèmine oryantasyon egzak lengot safi a (pa egzanp, plan C, plan A, plan R) lè l sèvi avèk enstriman oryantasyon.
-
-
Koupe ak plizyè fil
-
Koupe lengote a an tranch mens selon epesè ki nesesè a lè l sèvi avèk ekipman koupe milti-fil.
-
-
Premye Enspeksyon ak Dezyèm Rekui
-
Enspekte waf yo lè yo fin koupe yo (epesè, platè, domaj sifas).
-
Si sa nesesè, fè rekwi a ankò pou amelyore kalite kristal la plis toujou.
-
-
Chanfren, Broyage & Polisaj CMP
-
Fè chanfrenaj, fanm k'ap pile sifas, ak polisaj chimik mekanik (CMP) ak ekipman espesyalize pou reyalize sifas ki sanble ak glas.
-
-
Netwayaj
-
Netwaye waf yo byen avèk dlo ultra pi ak pwodui chimik nan yon anviwònman chanm pwòp pou retire patikil ak kontaminan.
-
-
Enspeksyon Optik ak Fizik
-
Fè deteksyon transmisyon epi anrejistre done optik.
-
Mezire paramèt waf yo tankou TTV (Varyasyon Epesè Total), Bow, Warp, presizyon oryantasyon, ak brutality sifas.
-
-
Kouch (Si ou vle)
-
Aplike kouch yo (pa egzanp, kouch AR, kouch pwoteksyon) dapre espesifikasyon kliyan yo.
-
Enspeksyon Final ak Anbalaj
-
Fè yon enspeksyon kalite 100% nan yon chanm pwòp.
-
Anbale waf yo nan bwat kasèt nan kondisyon pwòpte Klas 100 epi sele yo nan vakyòm anvan ou voye yo.
Aplikasyon pou gaufret safi
Grap safi yo, ak dite eksepsyonèl yo, transmisyon optik eksepsyonèl yo, pèfòmans tèmik ekselan yo, ak izolasyon elektrik yo, yo lajman itilize nan plizyè endistri. Aplikasyon yo pa sèlman kouvri endistri tradisyonèl LED ak optoelektwonik, men yo ap elaji tou nan semi-kondiktè, elektwonik konsomatè, ak domèn ayewospasyal ak defans avanse.
1. Semi-kondiktè ak Optoelektwonik
Substra LED yo
Gato safi yo se substrats prensipal yo pou kwasans epitaksi nitrid galyòm (GaN), lajman itilize nan LED ble, LED blan, ak teknoloji Mini/Mikwo LED.
Dyòd Lazè (LD)
Kòm substrats pou dyòd lazè ki baze sou GaN, tranch safi yo sipòte devlopman aparèy lazè ki gen gwo pouvwa ak yon long dire lavi.
Fotodetektè
Nan fotodetektè iltravyolèt ak enfrawouj, yo souvan itilize waf safi kòm fenèt transparan ak substrats izolan.
2. Aparèy semi-kondiktè
RFIC (Sikwi Entegre Frekans Radyo)
Gras a ekselan izolasyon elektrik yo, waf safi yo se substrats ideyal pou aparèy mikwo ond ki gen gwo frekans ak gwo puisans.
Teknoloji Silisyòm-sou-Safir (SoS)
Lè yo aplike teknoloji SoS, yo ka diminye kapasitans parazit la anpil, sa ki amelyore pèfòmans sikwi a. Sa a lajman itilize nan kominikasyon RF ak elektwonik ayewospasyal.
3. Aplikasyon optik
Fenèt optik enfrawouj
Avèk yon transmisyon ki wo nan seri longèdonn 200 nm-5000 nm, safi lajman itilize nan detektè enfrawouj ak sistèm gidans enfrawouj.
Fenèt Lazè Gwo Pwisans
Dite ak rezistans tèmik safi fè li yon ekselan materyèl pou fenèt pwoteksyon ak lantiy nan sistèm lazè gwo puisans.
4. Elektwonik pou konsomatè
Kouvèti Lantiy Kamera
Segondè dite safi a asire rezistans kont reyur pou lantiy smartphone ak kamera.
Capteur anprent dwèt
Gato safi yo ka sèvi kòm kouvèti dirab ak transparan ki amelyore presizyon ak fyab nan rekonesans anprent dwèt.
Mont entelijan ak ekran prim
Ekran safi yo konbine rezistans kont reyur ak yon gwo klète optik, sa ki fè yo popilè nan pwodwi elektwonik wo nivo.
5. Ayewospasyal ak Defans
Dòm enfrawouj misil
Fenèt safi yo rete transparan epi estab nan kondisyon tanperati ki wo ak vitès ki wo.
Sistèm Optik Ayewospasyal
Yo itilize yo nan fenèt optik ki gen gwo rezistans ak ekipman obsèvasyon ki fèt pou anviwònman ekstrèm.
Lòt pwodwi komen safi
Pwodwi optik
-
Fenèt optik safi
-
Yo itilize li nan lazè, espektwomèt, sistèm imaj enfrawouj, ak fenèt detèktè.
-
Ranje transmisyon:UV 150 nm rive nan mitan-IR 5.5 μm.
-
-
Lantiy Safi
-
Aplike nan sistèm lazè gwo puisans ak optik ayewospasyal.
-
Ka fabrike kòm lantiy konvèks, konkav, oswa silendrik.
-
-
Prism Safi
-
Yo itilize li nan enstriman mezi optik ak sistèm imaj presizyon.
-
Ayewospasyal ak Defans
-
Dòm Safi
-
Pwoteje aparèy k ap chèche enfrawouj nan misil, dron, ak avyon.
-
-
Kouvèti Pwoteksyon Safi
-
Reziste enpak koule lè a ki wo vitès ak anviwònman ki difisil.
-
Anbalaj pwodwi
Konsènan XINKEHUI
Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. se youn nanpi gwo founisè optik ak semi-kondiktè nan Lachin, te fonde an 2002. XKH te devlope pou bay chèchè akademik yo wafer ak lòt materyèl ak sèvis syantifik ki gen rapò ak semi-kondiktè. Materyèl semi-kondiktè se prensipal biznis nou, ekip nou an baze sou teknikalite, depi kreyasyon li, XKH te pwofondman enplike nan rechèch ak devlopman materyèl elektwonik avanse, espesyalman nan domèn divès wafer/substra.
Patnè yo
Avèk teknoloji ekselan li nan materyèl semi-kondiktè, Shanghai Zhimingxin vin tounen yon patnè konfyans pou pi gwo konpayi mondyal yo ak enstitisyon akademik byen koni. Avèk pèseverans li nan inovasyon ak ekselans, Zhimingxin etabli relasyon koperasyon pwofon ak lidè nan endistri a tankou Schott Glass, Corning, ak Seoul Semiconductor. Kolaborasyon sa yo pa sèlman amelyore nivo teknik pwodwi nou yo, men tou, yo ankouraje devlopman teknolojik nan domèn elektwonik pouvwa, aparèy optoelektwonik, ak aparèy semi-kondiktè.
Anplis koperasyon avèk konpayi byen koni, Zhimingxin te etabli tou relasyon koperasyon rechèch alontèm avèk pi gwo inivèsite atravè lemond tankou Inivèsite Harvard, University College London (UCL), ak Inivèsite Houston. Atravè kolaborasyon sa yo, Zhimingxin pa sèlman bay sipò teknik pou pwojè rechèch syantifik nan akademi, men li patisipe tou nan devlopman nouvo materyèl ak inovasyon teknolojik, pou asire ke nou toujou nan tèt endistri semi-kondiktè a.
Atravè yon koperasyon sere avèk konpayi ak enstitisyon akademik sa yo ki renome mondyalman, Shanghai Zhimingxin kontinye ankouraje inovasyon ak devlopman teknolojik, bay pwodwi ak solisyon klas mondyal pou satisfè bezwen k ap grandi nan mache mondyal la.
