Ekipman perçage lazè nanosegond enfrawouj pou perçage vè epesè ≤20mm

Deskripsyon kout:

Rezime teknik:
Sistèm Perçage Vè Lazè Enfrawouj Nanosegond lan se yon solisyon pwosesis endistriyèl ki devlope espesyalman pou perçage presizyon materyèl vè. Lè l sèvi avèk yon sous lazè enfrawouj nanosegond 1064nm (lajè pulsasyon: 10-300ns), sistèm sa a reyalize perçage wo presizyon nan divès substrats vè ak epesè ≤20mm atravè kontwòl enèji presi ak teknoloji pou fòme gwo bout bwa.
Nan aplikasyon pratik sou liy pwodiksyon, Sistèm Perçage Vè Lazè Nanosegond Enfrawouj la demontre avantaj inik nan pwosesis la. Konpare ak perçage mekanik konvansyonèl oswa pwosesis lazè CO₂, mekanis kontwòl efè tèmik optimize sistèm nan pèmèt perçage presizyon ak dyamèt twou ki varye ant Φ0.1-5mm nan vè soda-kalk estanda, tout pandan y ap kenbe konik miray twou a nan ±0.5°. Patikilyèman nan pwosesis lantiy kouvèti safi kamera smartphone, sistèm nan ka pwodui toujou seri mikwo-twou Φ0.3mm ak yon presizyon pozisyonèl ±10μm, satisfè egzijans miniaturizasyon strik nan elektwonik konsomatè yo. Sistèm nan vini estanda ak koòdone chajman/dechajman otomatik pou yon entegrasyon san pwoblèm ak liy pwodiksyon ki deja egziste yo.

Voye yon imèl ban nou

Karakteristik

Paramèt prensipal la

Kalite lazè	Nanosegond enfrawouj
Gwosè platfòm	*800 600 (milimèt)**
	*2000 1200 (milimèt)**
Epesè perçage	≤20 (milimèt)
Vitès perçage	0-5000 (mm/s)
Kraze kwen perçage	<0.5 (milimèt)
Remak: Gwosè platfòm lan ka pèsonalize.

Prensip Forage Lazè

Reyon lazè a konsantre nan yon pozisyon optimal parapò ak epesè pyès la, epi li eskane sou chemen predefini ak gwo vitès. Gras a entèraksyon ak reyon lazè ki gen anpil enèji a, materyèl sib la retire kouch pa kouch pou fòme chanèl koupe, sa ki pèmèt pèforasyon presi (jeyometri sikilè, kare, oswa konplèks) avèk separasyon materyèl kontwole.

Avantaj Forage Lazè

· Entegrasyon automatisation segondè ak konsomasyon enèji minimòm ak operasyon senplifye;

· Pwosesis san kontak pèmèt jeyometri modèl san restriksyon pi lwen pase metòd konvansyonèl yo;

· Operasyon san konsomab diminye depans fonksyònman yo epi amelyore dirabilite anviwònman an;

· Presizyon siperyè ak minimòm chire kwen epi eliminasyon domaj segondè nan pyès travay la;

Ekipman perçage lazè vè nanosegond enfrawouj 2

Egzanp ekspozisyon

Aplikasyon Pwosesis

Sistèm nan fèt pou pwosesis presizyon materyèl frajil/di, tankou perçage, rainure, retire fim, ak teksturizasyon sifas. Aplikasyon tipik yo enkli:

1. Perçage ak fè dan pou konpozan pòt douch yo

2. Pèforasyon presizyon nan panno vè aparèy yo

3. Panèl solè atravè perçage

4. Pèforasyon plak kouvèti switch/priz la

5. Retire kouch glas la avèk perçage

6. Tekstirasyon sifas koutim ak rainur pou pwodwi espesyalize

Avantaj Pwosesis

1. Platfòm gwo fòma akomode divès dimansyon pwodwi atravè endistri yo

2. Perçage kontou konplèks reyalize nan operasyon yon sèl pas

3. Minimòm chipping kwen ak fini sifas siperyè (Ra <0.8μm)

4. Tranzisyon san pwoblèm ant espesifikasyon pwodwi yo ak operasyon entwisyon

5. Operasyon efikas an tèm de pri ki prezante:

· Gwo pousantaj sede (>99.2%)

· Pwosesis san konsomab

· Zewo emisyon polisyon

6. Pwosesis ki pa kontakte asire prezèvasyon entegrite sifas la

Karakteristik kle yo

1. Teknoloji Jesyon Tèmik Presizyon:

· Itilize yon pwosesis perçage pwogresif milti-pulsasyon ak enèji yon sèl pulsasyon reglabl (0.1–50 mJ)

· Sistèm pwoteksyon rido lè lateral inovatè a limite zòn ki afekte pa chalè a nan yon limit 10% dyamèt twou a

· Modil siveyans tanperati enfrawouj an tan reyèl konpanse paramèt enèji otomatikman (±2% estabilite)

2. Platfòm Pwosesis Entelijan:

· Ekipe ak yon etap motè lineyè ki gen gwo presizyon (presizyon pozisyonman repete: ±2 μm)

· Sistèm aliyman vizyon entegre (CCD 5 megapiksèl, presizyon rekonesans: ±5 μm)

· Baz done pwosesis prechaje ak paramèt optimize pou plis pase 50 kalite materyèl vè

3. Konsepsyon Pwodiksyon ki gen gwo efikasite:

· Mòd operasyon altène doub estasyon ak tan chanjman materyèl ≤3 segonn

· Sik pwosesis estanda 1 twou/0.5 segonn (Φ0.5 mm twou ki pase ladan l)

· Konsepsyon modilè pèmèt yon ranplasman rapid ant asanblaj lantiy konsantre yo (ranje pwosesis: Φ0.1–10 mm)

Aplikasyon pou Pwosesis Materyèl Frajil ak Di

Kalite Materyèl	Senaryo Aplikasyon an	Tretman Kontni
Vè Soda-lacho	Pòt douch	Twou montaj ak chanèl drenaj
Vè Soda-lacho	Panno kontwòl aparèy yo	Tablo twou drenaj
Vè apeze	Fenèt pou gade fou	Tablo twou vantilasyon
Vè apeze	Plak pou kwit manje endiksyon	Chanèl refwadisman angilè
Vè Borosilikat	Panno solè	Twou aliye
Vè Borosilikat	Vetri laboratwa	Chanèl drenaj koutim
Vit-seramik	Sifas recho	Twou pou pozisyone brûler
Vit-seramik	Recho endiksyon	Tablo twou pou monte detèktè
Safi	Kouvèti aparèy entelijan	Twou vantilasyon
Safi	Vitrin endistriyèl yo	Twou ranfòse
Vè kouvri	Miwa twalèt	Twou pou monte (retire kouch + perçage)
Vè kouvri	Miray rido	Twou drenaj kache an vè ki ba-E
Vè seramik	Kouvèti switch/priz	Fant sekirite + twou fil
Vè seramik	Baryè dife	Twou pou soulaje presyon ijans

XKH bay sipò teknik konplè ak sèvis ki ajoute valè pou ekipman perçage vè lazè nanosegond enfrawouj pou asire pèfòmans optimal pandan tout sik lavi ekipman an. Nou ofri sèvis devlopman pwosesis Customized kote ekip jeni nou an kolabore kole kole ak kliyan yo pou etabli bibliyotèk paramèt espesifik pou materyèl, ki gen ladan pwogram perçage espesyalize pou materyèl difisil tankou safi ak vè apeze ak varyasyon epesè soti nan 0.1mm a 20mm. Pou optimize pwodiksyon, nou fè tès kalibrasyon ekipman ak validasyon pèfòmans sou plas, pou asire ke metrik kritik tankou tolerans dyamèt twou (±5μm) ak kalite kwen (Ra<0.5μm) satisfè estanda endistri yo.

Anvan: Ekipman teknoloji lazè Microjet pou koupe wafer ak pwosesis materyèl SiC

Apre: 6 pous kondiktè SiC konpoze substrat 4H dyamèt 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm