Kounye a, konpayi nou an ka kontinye founi ti kantite waf SiC tip 8 pous N, si ou bezwen echantiyon, tanpri pa ezite kontakte m. Nou gen kèk echantiyon waf ki pare pou anbake.
Nan domèn materyèl semi-kondiktè yo, konpayi an fè yon gwo pwogrè nan rechèch ak devlopman kristal SiC gwo gwosè. Lè l sèvi avèk pwòp kristal grenn li yo apre plizyè seri elajisman dyamèt, konpayi an reyisi kiltive kristal SiC 8 pous tip N, sa ki rezoud pwoblèm difisil tankou chan tanperati inegal, fann kristal ak distribisyon matyè premyè faz gaz nan pwosesis kwasans kristal SIC 8 pous yo, epi akselere kwasans kristal SIC gwo gwosè ak teknoloji pwosesis otonòm ak kontwolab la. Sa amelyore anpil compétitivité prensipal konpayi an nan endistri substrat kristal sèl SiC la. An menm tan, konpayi an aktivman ankouraje akimilasyon teknoloji ak pwosesis liy eksperimantal preparasyon substrat carbure Silisyòm gwo gwosè, ranfòse echanj teknik ak kolaborasyon endistriyèl nan domèn amon ak aval, epi kolabore ak kliyan yo pou toujou ap amelyore pèfòmans pwodwi a, epi ansanm ankouraje vitès aplikasyon endistriyèl materyèl carbure Silisyòm yo.
| Espesifikasyon DSP SiC 8 pous tip N | |||||
| Nimewo | Atik | Inite | Pwodiksyon | Rechèch | Maneken |
| 1. Paramèt | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | oryantasyon sifas | ° | 4±0.5 | 4±0.5 | 4±0.5 |
| 2. Paramèt elektrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Azòt tip n | Azòt tip n | Azòt tip n |
| 2.2 | rezistivite | ohm ·cm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. Paramèt mekanik | |||||
| 3.1 | dyamèt | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | epesè | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Oryantasyon Notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Pwofondè Notch | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | Valè lavi a (LTV) | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Banza | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Deformation | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Estrikti | |||||
| 4.1 | dansite mikwopip | chak/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kontni metal | atòm/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | chak/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | chak/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | chak/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kalite pozitif | |||||
| 5.1 | devan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | fini sifas | -- | Si-fas CMP | Si-fas CMP | Si-fas CMP |
| 5.3 | patikil | gofr/chak | ≤100 (gwosè ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | grate | gofr/chak | ≤5, Longè total ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kwen fant/mak/fant/tach/kontaminasyon | -- | Okenn | Okenn | NA |
| 5.6 | Zòn politip yo | -- | Okenn | Zòn ≤10% | Zòn ≤30% |
| 5.7 | mak devan | -- | Okenn | Okenn | Okenn |
| 6. Kalite do a | |||||
| 6.1 | fini dèyè | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | grate | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Defo dèyè kwen ti moso/endisyon | -- | Okenn | Okenn | NA |
| 6.4 | Do ki pa lis | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Make dèyè | -- | Dant | Dant | Dant |
| 7. Kwen | |||||
| 7.1 | kwen | -- | Chanfren | Chanfren | Chanfren |
| 8. Pakè | |||||
| 8.1 | anbalaj | -- | Epi-pare ak vakyòm anbalaj | Epi-pare ak vakyòm anbalaj | Epi-pare ak vakyòm anbalaj |
| 8.2 | anbalaj | -- | Plizyè wafè anbalaj kasèt | Plizyè wafè anbalaj kasèt | Plizyè wafè anbalaj kasèt |
Dat piblikasyon: 18 avril 2023