Koulye a, konpayi nou an ka kontinye bay ti pakèt 8inchN kalite SiC wafers, si ou gen bezwen echantiyon, tanpri ou lib pou kontakte m.Nou gen kèk echantiyon wafers pare pou bato.
Nan jaden an nan materyèl semi-conducteurs, konpayi an te fè yon gwo zouti nan rechèch la ak devlopman nan gwo gwosè SiC kristal.Lè l sèvi avèk pwòp kristal pitit pitit li yo apre plizyè jij nan elajisman dyamèt, konpayi an te avèk siksè grandi 8-pous N-kalite kristal SiC, ki rezoud pwoblèm difisil tankou jaden tanperati inegal, kristal fann ak faz gaz distribisyon matyè premyè nan pwosesis kwasans lan nan. 8-pous SIC kristal, ak akselere kwasans lan nan gwo gwosè SIC kristal ak teknoloji a pwosesis otonòm ak kontwole.Anpil amelyore compétitivité debaz konpayi an nan endistri substrate kristal sèl SiC.An menm tan an, konpayi an aktivman ankouraje akimilasyon nan teknoloji ak pwosesis nan gwo gwosè Silisyòm carbure substrate preparasyon liy eksperimantal, ranfòse echanj teknik la ak kolaborasyon endistriyèl nan jaden en ak en, ak kolabore ak kliyan yo toujou ap repete pèfòmans pwodwi, ak ansanm. ankouraje mach aplikasyon endistriyèl nan materyèl carbure Silisyòm.
| 8inch N-tip SiC DSP Espesifikasyon | |||||
| Nimewo | Atik | Inite | Pwodiksyon | Rechèch | Enbesil |
| 1. Paramèt | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | oryantasyon sifas yo | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Paramèt elektrik | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-tip Azòt | n-tip Azòt | n-tip Azòt |
| 2.2 | rezistivite | ohm ·cm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. Paramèt mekanik | |||||
| 3.1 | dyamèt | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | epesè | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Oryantasyon Notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Pwofondè Notch | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bow | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Defòme | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Estrikti | |||||
| 4.1 | dansite micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kontni metal | atòm/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. bon jan kalite pozitif | |||||
| 5.1 | devan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | fini sifas | -- | Si-fas CMP | Si-fas CMP | Si-fas CMP |
| 5.3 | patikil | ea/wafer | ≤100 (gwosè ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | grate | ea/wafer | ≤5, Total Length≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Edge chips / endentasyon / fant / tach / kontaminasyon | -- | Okenn | Okenn | NA |
| 5.6 | Zòn politip yo | -- | Okenn | Zòn ≤10% | Zòn ≤30% |
| 5.7 | make devan | -- | Okenn | Okenn | Okenn |
| 6. Retounen bon jan kalite | |||||
| 6.1 | tounen fini | -- | C-fas MP | C-fas MP | C-fas MP |
| 6.2 | grate | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Retounen domaj kwen chips/tint | -- | Okenn | Okenn | NA |
| 6.4 | Retounen brutality | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Retounen make | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Edge | |||||
| 7.1 | kwen | -- | Chanfrein | Chanfrein | Chanfrein |
| 8. Pake | |||||
| 8.1 | anbalaj | -- | Epi-pare ak vakyòm anbalaj | Epi-pare ak vakyòm anbalaj | Epi-pare ak vakyòm anbalaj |
| 8.2 | anbalaj | -- | Multi-wafer anbalaj kasèt | Multi-wafer anbalaj kasèt | Multi-wafer anbalaj kasèt |
Lè poste: Apr-18-2023