English

Nouvo pwodwi SiC tip P substrat SiC Dia2inch

Substra SiC tip P SiC wafer Dia2inch nouvo pwodwi Imaj prezante
  • Nouvo pwodwi SiC tip P substrat SiC Dia2inch
  • Nouvo pwodwi SiC tip P substrat SiC Dia2inch

Deskripsyon kout:

Wafer Silisyòm Karbid (SiC) 2 pous Kalite P swa nan politip 4H oswa 6H. Li gen pwopriyete menm jan ak wafer Silisyòm Karbid (SiC) kalite N, tankou rezistans tanperati ki wo, konduktivite tèmik ki wo, konduktivite elektrik ki wo, elatriye. Substra SiC kalite P a jeneralman itilize pou fabrike aparèy pouvwa, espesyalman fabrikasyon Tranzistò Bipolè Pòtay Izole (IGBT). Konsepsyon IGBT souvan enplike jonksyon PN, kote SiC kalite P a ka avantaje pou kontwole konpòtman aparèy yo.


Karakteristik

Substra Silisyòm karbid tip P yo souvan itilize pou fè aparèy pouvwa, tankou tranzistò bipolè Insulate-Gate (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, ki se yon switch pou limen-etenn. MOSFET = IGFET (tib efè chan mayetik semi-kondiktè oksid metalik, oubyen tranzistò efè chan mayetik tip pòtay izole). BJT (Tranzistò Jonksyon Bipolè, ke yo rele tou tranzistò), bipolè vle di ke gen de kalite transpòtè elektwon ak twou ki enplike nan pwosesis kondiksyon an, jeneralman gen yon jonksyon PN ki enplike nan kondiksyon an.

Waf Silisyòm carbure (SiC) 2 pous tip p a se nan politip 4H oswa 6H. Li gen pwopriyete menm jan ak waf Silisyòm carbure (SiC) tip n, tankou rezistans tanperati ki wo, konduktivite tèmik ki wo, ak konduktivite elektrik ki wo. Substra SiC tip p yo souvan itilize nan fabrikasyon aparèy pouvwa, patikilyèman pou fabrikasyon tranzistò bipolè pòtay izole (IGBT). Konsepsyon IGBT yo tipikman enplike jonksyon PN, kote SiC tip p a avantaje pou kontwole konpòtman aparèy la.

paj 4

Dyagram detaye

IMG_1595
IMG_1594
  • Anvan:
  • Apre:

    • Pwodwi ki gen rapò

    Ekri mesaj ou a isit la epi voye l ban nou
    Peze Antre pou chèche oubyen ESC pou fèmen