P-type SiC substrate SiC wafer Dia2inch nouvo pwodwi

Deskripsyon kout:

2 pous P-Type Silisyòm Carbide (SiC) Wafer nan swa 4H oswa 6H polytype. Li gen pwopriyete menm jan ak N-kalite Silisyòm Carbide (SiC) wafer a, tankou rezistans tanperati ki wo, segondè konduktiviti tèmik, segondè konduktiviti elektrik, elatriye. Gate Bipolè Tranzistò (IGBT). Konsepsyon IGBT souvan enplike junctions PN, kote P-tip SiC ka avantaje pou kontwole konpòtman aparèy yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

P-type Silisyòm carbure substrats yo souvan itilize pou fè aparèy pouvwa, tankou Insulate-Gate Bipolè tranzistò (IGBTs).

IGBT = MOSFET + BJT, ki se yon switch on-off. MOSFET = IGFET (metal oksid semiconductor jaden efè tib, oswa izole pòtay kalite jaden efè tranzistò). BJT (Tranzistò Bipolè Junction, konnen tou kòm tranzistò a), bipolè vle di ke gen de kalite transpòtè elèktron ak twou ki enplike nan pwosesis kondiksyon nan travay la, jeneralman gen PN junction ki enplike nan kondiksyon.

2-pous p-type Silisyòm carbure (SiC) wafer a se nan 4H oswa 6H polytype. Li gen pwopriyete ki sanble ak n-kalite Silisyòm carbure (SiC), tankou rezistans tanperati ki wo, segondè konduktiviti tèmik, ak segondè konduktiviti elektrik. Substra p-type SiC yo souvan itilize nan fabwikasyon aparèy pouvwa, patikilyèman pou fabwikasyon tranzistò bipolè izole-gate (IGBTs). konsepsyon IGBT yo anjeneral enplike nan junctions PN, kote p-tip SiC se avantaje pou kontwole konpòtman an nan aparèy la.