Pwodwi yo
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Sistèm Mikro-usinage Lazè Segondè Presizyon
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Machin perçage lazè segondè presizyon, perçage lazè, koupe lazè
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Machin Forage Lazè Vè
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Optik Ruby, baton Ruby, fenèt optik, kristal lazè Titàn, bijou Titàn
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Metòd CVD pou pwodui matyè premyè SiC ki gen gwo pite nan yon founo sentèz carbure Silisyòm nan 1600 ℃
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Founo Kwasans Kristal SiC 4 pous 6 pous 8 pous pou Pwosesis CVD
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6 pous 4H SEMI Kalite SiC konpoze substrat Epesè 500μm TTV≤5μm klas MOS
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Konpozan Safi Optik ki gen fòm Customized Sapphire ak Polisaj Presizyon
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Plato/plak seramik SiC pou detantè wafer 4 pous 6 pous pou ICP
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Fenèt Safi ki gen Fòm Pèsonalize ak Gwo Dite pou Ekran Smartphone
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12 pous SiC Substrate N Kalite Gwo Gwosè Aplikasyon RF Pèfòmans Segondè
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Substra grenn SiC tip N koutim Dia153/155mm pou elektwonik pouvwa