Bra Fouchèt Seramik SiC / Efektè Fen - Manyen Presizyon Avanse pou Fabrikasyon Semi-kondiktè

Deskripsyon kout:

Bra Fouchèt Seramik SiC a, souvan refere li kòm yon Efektè Final Seramik, se yon konpozan manyen presizyon pèfòmans segondè ki espesyalman devlope pou transpò, aliyman ak pozisyonman waf nan endistri gwo teknoloji, patikilyèman nan pwodiksyon semi-kondiktè ak fotovoltaik. Fabrike lè l sèvi avèk seramik carbure Silisyòm ki gen gwo pite, konpozan sa a konbine yon fòs mekanik eksepsyonèl, yon ekspansyon tèmik ultra-ba, ak yon rezistans siperyè a chòk tèmik ak korozyon.

Voye yon imèl ban nou

Karakteristik

Dyagram detaye

Apèsi sou pwodwi a

Kontrèman ak efèktè final tradisyonèl yo ki fèt ak aliminyòm, asye pur, oswa menm kwats, efèktè final seramik SiC yo ofri yon pèfòmans san parèy nan chanm vakyòm, chanm pwòp, ak anviwònman pwosesis difisil, sa ki fè yo yon pati enpòtan nan robo manyen waf pwochen jenerasyon an. Avèk demann k ap ogmante pou pwodiksyon san kontaminasyon ak tolerans ki pi sere nan fabrikasyon chip, itilizasyon efèktè final seramik yo ap vin rapidman estanda endistri a.

Prensip fabrikasyon

Fabrikasyon anEfèktè Fen Seramik SiCenplike yon seri pwosesis ki gen gwo presizyon ak gwo pite ki asire pèfòmans ak rezistans. De pwosesis prensipal yo tipikman itilize:

Silisyòm Karbid ki lye ak reyaksyon (RB-SiC)

Nan pwosesis sa a, yo enfiltre yon prefòm ki fèt ak poud carbure Silisyòm ak lyan ak silikon fonn nan tanperati ki wo (~1500°C), ki reyaji ak kabòn rezidyèl pou fòme yon konpoze SiC-Si dans ak rijid. Metòd sa a ofri yon ekselan kontwòl dimansyonèl epi li efikas an tèm de pri pou pwodiksyon an gwo echèl.

Silisyòm carbure sinterize san presyon (SSiC)

Yo fè SSiC lè yo sinterize poud SiC ultra-fin ak pite nan tanperati ki wo anpil (>2000°C) san yo pa itilize aditif oswa yon faz lyezon. Sa bay yon pwodwi ki gen prèske 100% dansite ak pi gwo pwopriyete mekanik ak tèmik ki disponib pami materyèl SiC yo. Li ideyal pou aplikasyon pou manyen waf ultra-kritik.

Pòs-pwosesis

Precision CNC machinasyonReyalize yon gwo planite ak paralelis.
Fini sifasPolisaj dyaman diminye britalite sifas la a <0.02 µm.
EnspeksyonYo itilize entèferometri optik, CMM, ak tès ki pa destriktif pou verifye chak pyès.

Etap sa yo garanti keEfektè final SiCbay yon presizyon plasman wafer ki konsistan, yon planarite ekselan, ak yon jenerasyon patikil minimòm.

Karakteristik ak Benefis Kle yo

Karakteristik	Deskripsyon
Ultra-wo dite	Dite Vickers > 2500 HV, reziste mete ak eklatman.
Ekspansyon tèmik ki ba	CTE ~4.5×10⁻⁶/K, sa ki pèmèt estabilite dimansyonèl nan siklaj tèmik.
Inètite Chimik	Rezistan a HF, HCl, gaz plasma, ak lòt ajan koroziv.
Ekselan rezistans chòk tèmik	Apwopriye pou chofaj/refwadisman rapid nan sistèm vakyòm ak founo.
Segondè Rijidite ak Fòs	Sipòte bra fouchèt long ki an konsol san defleksyon.
Ba degazaj	Ideyal pou anviwònman ultra-wo vid (UHV).
Pare pou chanm pwòp ISO Klas 1	Operasyon san patikil asire entegrite wafer la.

Aplikasyon yo

Bra fouchèt seramik SiC a / efèktè bout la lajman itilize nan endistri ki mande presizyon ekstrèm, pwòpte, ak rezistans chimik. Senaryo aplikasyon kle yo enkli:

Fabrikasyon semi-kondiktè

Chaje/dechaje wafer nan sistèm depozisyon (CVD, PVD), grave (RIE, DRIE), ak netwayaj.
Transpò waf robotik ant FOUP, kasèt, ak zouti pwosesis.
Manyen tanperati ki wo pandan pwosesis tèmik oswa rekwi.

Pwodiksyon Selil Fotovoltaik

Transpò delika nan plak silikon frajil oswa substrats solè nan liy otomatize.

Endistri Ekspozisyon Plat (FPD)

Deplase gwo panno oswa substrats an vè nan anviwònman pwodiksyon OLED/LCD.

Semi-kondiktè konpoze / MEMS

Yo itilize li nan liy fabrikasyon GaN, SiC, ak MEMS kote kontwòl kontaminasyon ak presizyon pozisyonman enpòtan anpil.

Wòl li kòm efèktè final la patikilyèman enpòtan pou asire yon manyen san defo ak ki estab pandan operasyon sansib.

Kapasite pèsonalizasyon

Nou ofri yon pakèt sèvis pèsonalizasyon pou satisfè divès kalite ekipman ak egzijans pwosesis:

Konsepsyon fouchètLayout ak de branch, plizyè dwèt, oubyen nivo divize.
Konpatibilite gwosè waferSoti nan gaufret 2" rive nan 12".
Entèfas montajKonpatib ak bra robotik OEM yo.
Epesè ak Tolerans SifasPlanè nan nivo mikron ak awondi kwen disponib.
Karakteristik anti-gliseTeksti sifas oswa kouch opsyonèl pou yon priz wafer ki an sekirite.

Chakefèktè final seramikli fèt ansanm ak kliyan yo pou asire yon anfòm presi ak yon minimòm chanjman nan zouti yo.

Kesyon yo poze souvan (FAQ)

K1: Kijan SiC pi bon pase kwats pou yon aplikasyon efèktè final?
A1:Malgre ke kwats souvan itilize pou pite li, li manke rezistans mekanik epi li gen tandans kraze anba chaj oswa chòk tanperati. SiC ofri yon fòs siperyè, rezistans mete, ak estabilite tèmik, sa ki diminye anpil risk pou pann ak domaj nan waf la.

K2: Èske bra fouchèt seramik sa a konpatib ak tout aparèy robotik pou manyen wafer yo?
A2:Wi, efèktè final seramik nou yo konpatib ak pifò gwo sistèm manyen wafer yo epi yo ka adapte ak modèl robotik espesifik ou yo ak desen jeni presi.

Q3: Èske li ka manyen waf 300 mm san li pa defòme?
A3:Absoliman. Gwo rijidite SiC a pèmèt menm bra fouchèt mens ak long yo kenbe waf 300 mm yo byen fèm san yo pa afesman oswa defleksyon pandan mouvman.

K4: Ki dire lavi sèvis tipik yon efèktè final seramik SiC?
A4:Avèk bon itilizasyon, yon efèktè final SiC ka dire 5 a 10 fwa pi lontan pase modèl tradisyonèl kwatz oswa aliminyòm, gras a ekselan rezistans li nan estrès tèmik ak mekanik.

Q5: Èske ou ofri sèvis ranplasman oswa prototipaj rapid?
A5:Wi, nou sipòte pwodiksyon echantiyon rapid epi nou ofri sèvis ranplasman ki baze sou desen CAD oswa pyès ki fèt ak enjenyè envès ki soti nan ekipman ki deja egziste.

Konsènan nou

XKH espesyalize nan devlopman gwo teknoloji, pwodiksyon ak lavant vè optik espesyal ak nouvo materyèl kristal. Pwodwi nou yo sèvi elektwonik optik, elektwonik konsomatè ak militè a. Nou ofri konpozan optik safi, kouvèti lantiy telefòn mobil, seramik, LT, Silisyòm Carbide SIC, Quartz ak waf kristal semi-kondiktè. Avèk ekspètiz kalifye ak ekipman dènye kri, nou eksele nan pwosesis pwodwi ki pa estanda, epi nou vize pou nou vin yon antrepriz gwo teknoloji dirijan nan materyèl optoelektwonik.