Silisyòm carbure plato seramik aspiratè Silisyòm carbure tib seramik ekipman pou sinterizasyon tanperati ki wo pwosesis koutim
Karakteristik prensipal yo:
1. Plato seramik Silisyòm carbure
- Segondè dite ak rezistans mete: dite a pre dyaman, epi li ka reziste mete mekanik nan pwosesis wafer pou yon tan long.
- Segondè konduktivite tèmik ak ba koyefisyan ekspansyon tèmik: rapid disipasyon chalè ak estabilite dimansyon, evite defòmasyon ki koze pa estrès tèmik.
- Segondè planè ak fini sifas: Planè sifas la rive jiska nivo mikron, sa ki asire yon kontak konplè ant waf la ak disk la, sa ki diminye kontaminasyon ak domaj.
Estabilite chimik: Bon rezistans korozyon, apwopriye pou netwayaj mouye ak pwosesis grave nan fabrikasyon semi-kondiktè.
2. Tib seramik Silisyòm carbure
- Rezistans tanperati ki wo: Li ka travay nan anviwònman tanperati ki wo pi wo pase 1600 ° C pou yon tan long, apwopriye pou pwosesis tanperati ki wo semi-kondiktè.
Ekselan rezistans korozyon: rezistan a asid, alkali ak yon varyete solvang chimik, apwopriye pou anviwònman pwosesis difisil.
- Segondè dite ak rezistans mete: reziste ewozyon patikil ak mete mekanik, pwolonje lavi sèvis.
- Segondè konduktivite tèmik ak ba koyefisyan ekspansyon tèmik: kondiksyon chalè rapid ak estabilite dimansyonèl, diminye defòmasyon oswa fann ki koze pa estrès tèmik.
Paramèt pwodwi:
Paramèt plato seramik Silisyòm carbure:
| (Pwopriyete materyèl) | (Inite) | (ssic) | |
| (Kontni SiC) | (Pwa)% | >99 | |
| (Gwosè grenn mwayèn) | mikron | 4-10 | |
| (Dansite) | kg/dm3 | >3.14 | |
| (Porosite aparan) | Vo1% | <0.5 | |
| (Dite Vickers) | HV 0.5 | GPa | 28 |
| *() Rezistans fleksyon* (twa pwen) | 20ºC | MPa | 450 |
| (Fòs konpresiv) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Modil elastik) | 20ºC | GPa | 420 |
| (Rezistans frakti) | MPa/m'% | 3.5 | |
| (Konduktivite tèmik) | 20°C | W/(m*K) | 160 |
| (Rezistans) | 20°C | Ohm.cm | 106-108 |
(Koyefisyan ekspansyon tèmik) | a(RT**...80ºC) | K-1*10-6 | 4.3 |
(Tanperati maksimòm fonksyònman) | oºC | 1700 | |
Paramèt tib seramik Silisyòm carbure:
| Atik yo | Endèks |
| α-SIC | 99% minimòm |
| Porosite aparan | 16% maksimòm |
| Dansite an gwo | 2.7g/cm3 minit |
| Fòs koube nan tanperati ki wo | 100 Mpa min |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik | K-1 4.7x10 -6 |
| Koyefisyan konduktivite tèmik (1400ºC) | 24 W/mk |
| Tanperati maksimòm k ap travay | 1650ºC |
Aplikasyon prensipal yo:
1. Plak seramik Silisyòm carbure
- Koupe ak polisaj wafer: sèvi kòm yon platfòm kote yo pote pou asire gwo presizyon ak estabilite pandan koupe ak polisaj.
- Pwosesis litografi: Yo fikse waf la nan machin litografi a pou asire yon pozisyonman presi pandan ekspozisyon an.
- Polisaj Chimik Mekanik (CMP): li sèvi kòm yon platfòm sipò pou kousinen polisaj yo, sa ki bay yon presyon inifòm ak yon distribisyon chalè.
2. Tib seramik Silisyòm carbure
- Tib founo tanperati ki wo: yo itilize pou ekipman tanperati ki wo tankou founo difizyon ak founo oksidasyon pou pote waf pou tretman pwosesis tanperati ki wo.
- Pwosesis CVD/PVD: Kòm yon tib kote yo pote nan chanm reyaksyon an, rezistan a tanperati ki wo ak gaz koroziv.
- Pwodui pou ekipman semi-kondiktè: pou echanjeur chalè, tiyo gaz, elatriye, pou amelyore efikasite jesyon tèmik ekipman yo.
XKH ofri yon seri konplè sèvis pèsonalize pou plato seramik, ventouz ak tib seramik Silisyòm karbid. Plato ak ventouz seramik Silisyòm karbid, XKH ka pèsonalize selon bezwen kliyan yo pou diferan gwosè, fòm ak sifas ki graj, epi sipòte tretman kouch espesyal, amelyore rezistans mete ak rezistans korozyon; Pou tib seramik Silisyòm karbid, XKH ka pèsonalize yon varyete dyamèt enteryè, dyamèt ekstèn, longè ak estrikti konplèks (tankou tib ki gen fòm oswa tib pore), epi bay polisaj, kouch anti-oksidasyon ak lòt pwosesis tretman sifas. XKH asire ke kliyan yo ka pwofite tout avantaj pèfòmans pwodwi seramik Silisyòm karbid yo pou satisfè egzijans mande nan domèn fabrikasyon wo nivo tankou semi-kondiktè, led ak fotovoltaik.
Dyagram detaye
