SiO2 mens fim tèmik oksid Silisyòm wafer 4 pous 6 pous 8 pous 12 pous

Pwosesis prensipal la nan fabrikasyon oksidasyon Silisyòm gauf anjeneral gen ladan etap sa yo: kwasans monokristalin Silisyòm, koupe an gaufre, polisaj, netwaye ak oksidasyon.

Kwasans Silisyòm monokristalin: Premyèman, Silisyòm monokristalin grandi nan tanperati ki wo pa metòd tankou metòd Czochralski oswa metòd Float-zòn. Metòd sa a pèmèt preparasyon silikon sèl kristal ak pite segondè ak entegrite lasi.

Dicing: Silisyòm monokristalin grandi a anjeneral nan yon fòm silendrik epi li bezwen koupe an gaufre mens yo dwe itilize kòm yon substra wafer. Koupe anjeneral fè ak yon kouto dyaman.

Polisaj: Sifas wafer koupe a ka inegal epi li mande pou polisaj chimik-mekanik pou jwenn yon sifas ki lis.

Netwayaj: Wafer poli a netwaye pou retire enpurte ak pousyè.

Oksidan: Finalman, silisyòm wafers yo mete nan yon gwo-tanperati gwo founo pou tretman oksidasyon pou fòme yon kouch pwoteksyon nan diyoksid Silisyòm amelyore pwopriyete elektrik li yo ak fòs mekanik, osi byen ke sèvi kòm yon kouch posibilite nan sikui entegre.

Itilizasyon prensipal yo nan gauf Silisyòm oksidize yo enkli fabrike nan sikui entegre, fabrike nan selil solè, ak fabrike nan lòt aparèy elektwonik. Silisyòm oksid wafers yo lajman ki itilize nan jaden an nan materyèl semi-conducteurs paske nan ekselan pwopriyete mekanik yo, dimansyon ak estabilite chimik, kapasite yo opere nan tanperati ki wo ak presyon ki wo, osi byen ke bon posibilite ak pwopriyete optik.

Avantaj li yo gen ladan yon estrikti kristal konplè, konpozisyon chimik pi bon kalite, dimansyon egzak, bon pwopriyete mekanik, elatriye Karakteristik sa yo fè wafers oksid Silisyòm patikilyèman apwopriye pou fabrike nan sikui entegre segondè-pèfòmans ak lòt aparèy mikwo-elektwonik.