Substra
-
4H-N 8 pous SiC substrate wafer Silisyòm Carbide enbesil rechèch klas 500um epesè
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pwodiksyon egare klas Dia150mm Silisyòm carbure substrate
-
12 pous SIC substra Silisyòm carbure premye klas dyamèt 300mm gwo gwosè 4H-N Apwopriye pou gwo pouvwa aparèy chalè dissipation
-
Dia300x1.0mmt Epesè Safi Wafer C-Plane SSP/DSP
-
8 pous 200mm Safi substrate safi wafer mens epesè 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
8 pous SiC Silisyòm carbure wafer 4H-N kalite 0.5mm pwodiksyon klas rechèch klas koutim poli substra
-
HPSI SiC wafer dia: 3 pous epesè: 350um± 25 µm pou Elektwonik pouvwa
-
Single kristal Al2O3 99.999% Dia200mm safi gauf 1.0mm 0.75mm epesè
-
156mm 159mm 6 pous safi wafer pou konpayi asirans C-Plane DSP TTV
-
C/A/M aks 4 pous safi wafers yon sèl kristal Al2O3, SSP DSP segondè dite safi substra
-
3 pous segondè pite Semi-Izolan (HPSI) SiC wafer 350um enbesil klas Premye klas
-
P-type SiC substrate SiC wafer Dia2inch nouvo pwodwi