Substra
-
Gato Endyòm Antimonid (InSb) tip N tip P Epi pare san dopaj dope Te oswa dope Ge 2 pous 3 pous 4 pous epesè Gato Endyòm Antimonid (InSb) tip N
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C kalite 2pous 3pous 4pous 6pous 8pous
-
lengote safi 3 pous 4 pous 6 pous metòd Monokristal CZ KY personnalisable
-
Substrat waf epitaksyèl gwo pwisans GaAs, waf galyòm arsenid, longèdonn lazè 905nm pou tretman medikal lazè
-
GaAs lazè epitaxial wafer 4 pous 6 pous VCSEL kavite vètikal sifas emisyon lazè longèdonn 940nm sèl jonksyon
-
Detektè limyè APD pou substrat waf epitaxial InP 2 pous 3 pous 4 pous pou kominikasyon fib optik oswa LiDAR
-
Bag safi fèt ak materyèl safi sentetik. Dite Mohs transparan epi personnalisable de 9.
-
Substra Silisyòm carbure 2 pous Sic Kalite 6H-N 0.33mm 0.43mm polisaj doub-fas Segondè konduktivite tèmik konsomasyon enèji ki ba
-
Bag safi ki fèt ak tout safi, yon bag ki fèt antyèman ak safi. Materyèl safi transparan ki fèt nan laboratwa.
-
Lingot safi dyamèt 4 pous × 80mm Monokristalin Al2O3 99.999% Kristal sèl
-
Prism Safi Lantiy Safi Transparans Segondè Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Materyèl Enstriman Optik
-
Substra SiC 3 pous 350um epesè tip HPSI Premye Klas Klas enbesil