2 pous SiC Wafers 6H oswa 4H Semi-Izolan SiC substrats Dia50.8mm

2 pous SiC Wafers 6H oswa 4H Semi-Izolan SiC Substrates Dia50.8mm Imaj Prezantasyon

Deskripsyon kout:

Silisyòm Carbide (SiC) se yon konpoze binè nan Gwoup IV-IV, li nan sèl konpoze solid ki estab nan Gwoup IV nan Tablo Peryodik Eleman, Li se yon semi-conducteurs enpòtan. SiC gen ekselan pwopriyete tèmik, mekanik, chimik ak elektrik, ki fè li se youn nan pi bon materyèl pou fè aparèy elektwonik wo-tanperati, segondè-frekans ak gwo pouvwa.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Aplikasyon substrate carbure Silisyòm

Silisyòm carbure substrate ka separe an kalite conducteurs ak semi-izolasyon tip selon résistance. Aparèy kondiktif carbure Silisyòm yo itilize sitou nan machin elektrik, jenerasyon pouvwa fotovoltaik, transpò tren, sant done, chaje ak lòt enfrastrikti. Endistri machin elektrik la gen yon gwo demann pou substrats carbure Silisyòm kondiktif, e kounye a, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng ak lòt konpayi enèji nouvo machin te planifye pou itilize aparèy disrè carbure Silisyòm oswa modil.

Semi-izole aparèy carbure Silisyòm yo pwensipalman itilize nan kominikasyon 5G, kominikasyon machin, aplikasyon pou defans nasyonal, transmisyon done, ayewospasyal ak lòt jaden. Lè w ap grandi kouch epitaxial nitrure galyòm sou substrate carbure Silisyòm semi-izole, wafer epitaxial nitrure galyòm ki baze sou Silisyòm ka fè plis nan aparèy RF mikwo ond, ki sitou itilize nan jaden RF, tankou anplifikatè pouvwa nan kominikasyon 5G ak detektè radyo nan defans nasyonal.

Faktori pwodwi substra carbure Silisyòm enplike devlopman ekipman, sentèz matyè premyè, kwasans kristal, koupe kristal, pwosesis wafer, netwayaj ak tès, ak anpil lòt lyen. An tèm de matyè premyè, endistri Songshan Boron bay matyè premyè carbure Silisyòm pou mache a, e li te reyalize ti lavant pakèt. Materyèl semi-conducteurs twazyèm jenerasyon ki reprezante pa carbure Silisyòm jwe yon wòl kle nan endistri modèn, ak akselerasyon nan pénétration nan machin enèji nouvo ak aplikasyon pou fotovoltaik, demann lan pou substrate carbure Silisyòm se sou Usher nan yon pwen enfleksyon.