Gofr SiC 2 pous 6H oswa 4H Substra SiC semi-izolan Dyamèt 50.8mm

Deskripsyon kout:

Silisyòm carbure (SiC) se yon konpoze binè nan Gwoup IV-IV, li se sèl konpoze solid ki estab nan Gwoup IV nan Tablo Peryodik Eleman yo, Li se yon semi-kondiktè enpòtan. SiC gen ekselan pwopriyete tèmik, mekanik, chimik ak elektrik, ki fè li youn nan pi bon materyèl pou fabrike aparèy elektwonik ki reziste tanperati ki wo, frekans ki wo, ak gwo puisans.

Voye yon imèl ban nou

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Aplikasyon substrat carbure Silisyòm

Selon rezistivite, substrat Silisyòm kabid la ka divize an de kalite kondiktif ak semi-izolan. Aparèy Silisyòm kabid kondiktif yo sitou itilize nan machin elektrik, jenerasyon enèji fotovoltaik, transpò tren, sant done, rechaje ak lòt enfrastrikti. Endistri machin elektrik la gen yon gwo demann pou substrat Silisyòm kabid kondiktif, e kounye a, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng ak lòt konpayi machin nouvo enèji yo te planifye pou itilize aparèy oswa modil diskrè Silisyòm kabid.

Aparèy semi-izole Silisyòm kabid yo sitou itilize nan kominikasyon 5G, kominikasyon machin, aplikasyon defans nasyonal, transmisyon done, ayewospasyal ak lòt domèn. Lè yo grandi kouch epitaksi nitrid galyòm lan sou substrat semi-izole Silisyòm kabid la, waf epitaksi nitrid galyòm ki baze sou Silisyòm lan ka vin pi lwen an aparèy RF mikwo ond, ki sitou itilize nan domèn RF, tankou anplifikatè pouvwa nan kominikasyon 5G ak detektè radyo nan defans nasyonal.

Fabrikasyon pwodwi substrati Silisyòm kabid enplike devlopman ekipman, sentèz matyè premyè, kwasans kristal, koupe kristal, pwosesis waf, netwayaj ak tès, ak anpil lòt lyen. An tèm de matyè premyè, endistri Songshan Boron bay matyè premyè Silisyòm kabid pou mache a, epi li te reyalize lavant an ti kantite. Materyèl semi-kondiktè twazyèm jenerasyon ki reprezante pa Silisyòm kabid jwe yon wòl kle nan endistri modèn, ak akselerasyon pénétration nouvo machin enèji ak aplikasyon fotovoltaik, demann pou substrati Silisyòm kabid pral antre nan yon pwen enfleksyon.