4H-semi HPSI 2inch SiC substrate wafer Pwodiksyon egare rechèch klas

Substra carbure Silisyòm se sitou divize an kalite kondiktif ak semi-izolasyon, substra carbure silikon kondiktif nan substra n-kalite se sitou itilize pou epitaxial GaN ki baze sou dirije ak lòt aparèy optoelektwonik, SiC ki baze sou pouvwa aparèy elektwonik, elatriye, ak semi- izolasyon SiC silisyòm carbure substra se sitou itilize pou fabrike epitaxial nan aparèy frekans radyo-wo pouvwa GaN.Anplis de sa segondè-pite semi-izolasyon HPSI ak SI semi-izolasyon se diferan, segondè-pite semi-izolasyon konpayi asirans konsantrasyon nan 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015 / cm3 ranje, ak mobilite elèktron segondè;semi-izolasyon se yon materyèl segondè-rezistans, rezistivite se trè wo, jeneralman yo itilize pou substrats aparèy mikwo ond, ki pa kondiktif.

Semi-izolasyon Silisyòm Carbide substrate fèy SiC wafer

SiC kristal estrikti detèmine fizik li yo, relatif nan Si ak GaAs, SiC gen pou pwopriyete yo fizik;lajè bann entèdi se gwo, fèmen nan 3 fwa sa yo ki nan Si, asire ke aparèy la ap travay nan tanperati ki wo anba fyab la alontèm;fòs jaden pann se wo, se 1O fwa sa yo ki nan Si, asire ke kapasite nan vòltaj aparèy, amelyore valè a vòltaj aparèy;saturation elèktron pousantaj se gwo, se 2 fwa sa yo ki nan Si, ogmante frekans aparèy la ak dansite pouvwa;konduktiviti tèmik se wo, plis pase Si, konduktiviti a tèmik se wo, konduktiviti a tèmik se wo, konduktiviti a tèmik se wo, konduktiviti a tèmik se wo, plis pase Si a, konduktiviti a tèmik se wo, konduktiviti a tèmik se wo.Segondè konduktiviti tèmik, plis pase 3 fwa sa yo ki nan Si, ogmante kapasite nan dissipation chalè nan aparèy la ak reyalize miniaturization nan aparèy la.