3inch Dia76.2mm SiC substrats HPSI Prime Research ak egare klas

Substra kondiktif: refere a rezistivite nan 15 ~ 30mΩ-cm Silisyòm carbure substra.Ka Silisyòm carbure epitaxial wafer a grandi nan substra carbure Silisyòm konduktif la ka fè plis nan aparèy pouvwa, ki lajman ki itilize nan machin enèji nouvo, fotovoltaik, griy entelijan, ak transpò tren.

Semi-izolan substra refere a rezistivite ki pi wo pase 100000Ω-cm Silisyòm carbure substrate, sitou itilize nan envantè de nitrure galyòm aparèy frekans radyo mikwo ond, se baz jaden kominikasyon san fil.

Li se yon eleman debaz nan domèn kominikasyon san fil.

Silisyòm carbure konduktif ak semi-izolasyon substrats yo itilize nan yon pakèt aparèy elektwonik ak aparèy pouvwa, ki gen ladan men pa limite a sa ki annapre yo:

Aparèy semi-conducteurs gwo pouvwa (conducteurs): substrats carbure Silisyòm gen gwo fòs jaden pann ak konduktiviti tèmik, epi yo apwopriye pou pwodiksyon tranzistò pouvwa gwo pouvwa ak dyod ak lòt aparèy.

Aparèy elektwonik RF (semi-izole): Silisyòm Carbide substrats gen gwo vitès chanje ak tolerans pouvwa, apwopriye pou aplikasyon pou tankou anplifikatè pouvwa RF, aparèy mikwo ond ak switch frekans segondè.

Aparèy optoelektwonik (semi-izole): Substra carbure Silisyòm gen yon espas enèji lajè ak estabilite tèmik segondè, apwopriye pou fè fotodyod, selil solè ak dyod lazè ak lòt aparèy.

Tanperati detèktè (conducteurs): substrats carbure Silisyòm gen gwo konduktiviti tèmik ak estabilite tèmik, apwopriye pou pwodiksyon an nan detèktè segondè-tanperati ak enstriman mezi tanperati.

Pwosesis pwodiksyon an ak aplikasyon carbure Silisyòm konduktif ak semi-izolasyon substrats gen yon pakèt domèn jaden ak potansyèl, bay nouvo posiblite pou devlopman nan aparèy elektwonik ak aparèy pouvwa.