6inch HPSI SiC substrate wafer Silisyòm Carbide Semi-insultant SiC wafers

Metòd kwasans aktyèl yo pou SiC sèl kristal sitou gen ladan twa sa yo: metòd faz likid, metòd depo chimik tanperati ki wo, ak metòd transpò faz vapè fizik (PVT).Pami yo, metòd PVT la se teknoloji ki pi rechèch ak ki gen matirite pou kwasans yon sèl kristal SiC, ak difikilte teknik li yo se:

(1) SiC yon sèl kristal nan tanperati ki wo nan 2300 ° C pi wo a chanm nan grafit fèmen pou konplete pwosesis la rkristalizasyon konvèsyon "solid - gaz - solid", sik kwasans lan se long, difisil pou kontwole, ak tendans microtubules, enklizyon ak lòt defo.

(2) Silisyòm carbure yon sèl kristal, ki gen ladan plis pase 200 diferan kalite kristal, men pwodiksyon an nan jeneral sèlman yon sèl kalite kristal, fasil yo pwodwi transfòmasyon kalite kristal nan pwosesis kwasans lan sa ki lakòz milti-kalite enklizyon domaj, pwosesis la preparasyon nan yon sèl. espesifik kalite kristal se difisil a kontwole estabilite nan pwosesis la, pou egzanp, endikap aktyèl la nan 4H-kalite a.

(3) Silisyòm carbure yon sèl kristal kwasans tèmik jaden gen yon gradyan tanperati, sa ki lakòz pwosesis kwasans kristal la gen yon estrès entèn natif natal ak dislokasyon yo ki kapab lakòz, defo ak lòt domaj pwovoke.

(4) Pwosesis kwasans yon sèl kristal carbure Silisyòm bezwen kontwole estrikteman entwodiksyon de enpurte ekstèn, konsa tankou jwenn yon pite trè wo kristal semi-izolasyon oswa direksyon dope kristal kondiktif.Pou substrats semi-izolasyon carbure Silisyòm yo itilize nan aparèy RF, pwopriyete elektrik yo bezwen reyalize lè yo kontwole konsantrasyon enpurte ki ba anpil ak espesifik kalite domaj pwen nan kristal la.