Pwodwi yo
-
200mm SiC substrat klas fictif 4H-N 8 pous waf SiC
-
SiO2 fim mens oksid tèmik Silisyòm waf 4 pous 6 pous 8 pous 12 pous
-
Dòm safi transparan, gwo dite 9.0, rezistan a mete ak presyon ki wo.
-
Substra Silisyòm-Sou-Izolan SOI waf twa kouch pou Mikwoelektwonik ak Frekans Radyo
-
Bwat transpò kare pou wafer 150x150mm
-
Wafer SiO2 dioksid Silisyòm wafer epè poli, Premye ak Tès Klas
-
Materyèl YAG kri ki fèt nan laboratwa ble Paraiba, vèt lak
-
Esans Eklere – Kristal LSO(Ce) Dènye Modèn pou Sansiblite Espèktral Amelyore
-
Materyèl pyè presye jòn fliyoresan Luag jòn ka trete
-
CE+ YAG Lazè Kristal Yttrium Aliminyòm Grenat Cr YAG
-
Plak plato seramik SiC grafit ak kouch CVD SiC pou ekipman
-
Boul Ruby ki gen yon dite segondè 9.0 soti nan 0.30MM rive nan 5.0MM, kote yo pote safi.