Substra rekiperasyon fo 8 pous Silisyòm wafer P/N-type (100) 1-100Ω

Imaj prezante: 1-100Ω substrat rekipere fo, 8 pous Silisyòm wafer tip P/N (100)

Deskripsyon kout:

Gwo envantè waf poli doub fas, tout waf soti nan 50 a 400mm an dyamèt. Si spesifikasyon ou a pa disponib nan envantè nou an, nou etabli relasyon alontèm ak anpil founisè ki kapab fabrike waf sou mezi pou satisfè nenpòt spesifikasyon inik. Waf poli doub fas yo ka itilize pou silikon, vè ak lòt materyèl yo itilize souvan nan endistri semi-kondiktè yo.

Voye yon imèl ban nou

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Entwodwi bwat wafer la

Wafer Silisyòm 8 pous la se yon materyèl substrat Silisyòm ki souvan itilize epi li lajman itilize nan pwosesis fabrikasyon sikui entegre yo. Wafer Silisyòm sa yo souvan itilize pou fè divès kalite sikui entegre, tankou mikwoprosesè, chip memwa, detèktè ak lòt aparèy elektwonik. Wafer Silisyòm 8 pous yo souvan itilize pou fè chip ki gen gwosè relativman gwo, ak avantaj ki gen ladan yon sifas ki pi gwo ak kapasite pou fè plis chip sou yon sèl wafer Silisyòm, sa ki mennen nan yon ogmantasyon efikasite pwodiksyon. Wafer Silisyòm 8 pous la genyen tou bon pwopriyete mekanik ak chimik, ki apwopriye pou pwodiksyon sikui entegre sou gwo echèl.

Karakteristik pwodwi yo

8" tip P/N, plak silikon poli (25 moso)

Oryantasyon: 200

Rezistivite: 0.1 - 40 ohm•cm (Li ka varye de yon pakèt a yon lòt)

Epesè: 725+/-20um

Nòt Prensipal/Monitè/Tès

PWOPRIYETE MATERYÈL

Paramèt	Karakteristik
Kalite/Dopan	P, Bor N, Fosfò N, Antimony N, Asenik
Oryantasyon	<100>, <111> oryantasyon koupe selon spesifikasyon kliyan an
Kontni Oksijèn	10¹⁹ppmA Tolerans koutim selon spesifikasyon kliyan an
Kontni kabòn	< 0.6 ppmA

PWOPRIYETE MEKANIK

Paramèt	Premye	Monitè/ Tès A	Tès
Dyamèt	200 ± 0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0.5 milimèt
Epesè	725±20µm (estanda)	725±25µm (estanda) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (estanda)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Banza	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Vlope	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Awondi kwen	SEMI-STD
Maketing	Prensipal SEMI-Plat sèlman, SEMI-STD Plat Jeida Plat, Notch

Paramèt	Premye	Monitè/ Tès A	Tès
Kritè bò devan an
Kondisyon sifas la	Chimik Mekanik Poli	Chimik Mekanik Poli	Chimik Mekanik Poli
Aspè sifas la	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasyon Patikil @ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Bwouya, Twou Po zoranj	Okenn	Okenn	Okenn
Saw, Marks Striasyon	Okenn	Okenn	Okenn
Kritè bò dèyè a
Fant, pye kònèy, mak si, tach	Okenn	Okenn	Okenn
Kondisyon sifas la	Kòstik grave