8inch Silisyòm wafer P/N-type (100) 1-100Ω enbesil reklame substra

Deskripsyon kout:

Gwo envantè de doub sided poli gaufrèt, tout gaufrèt soti nan 50 a 400mm an dyamèt Si spesifikasyon ou a pa disponib nan envantè nou an, nou te etabli relasyon alontèm ak anpil founisè ki kapab koutim fabrike gaufre yo anfòm nenpòt spesifikasyon inik.Doub-sided poli gaufrèt yo ka itilize pou Silisyòm, vè ak lòt materyèl ki souvan itilize nan endistri semi-conducteurs.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Entwodwi bwat wafer

Wafer Silisyòm 8-pous la se yon materyèl substrate Silisyòm souvan itilize epi li lajman ki itilize nan pwosesis fabrikasyon sikui entegre yo.Wafers Silisyòm sa yo souvan itilize pou fè divès kalite sikui entegre, ki gen ladan mikwoprosesè, chips memwa, detèktè ak lòt aparèy elektwonik.Wafers Silisyòm 8-pous yo souvan itilize pou fè chips nan gwosè relativman gwo, ak avantaj ki gen ladan yon sifas ki pi gwo ak kapasite nan fè plis chips sou yon sèl wafer Silisyòm, ki mennen nan ogmante efikasite pwodiksyon an.Wafer Silisyòm 8-pous la tou gen bon pwopriyete mekanik ak chimik, ki apwopriye pou pwodiksyon sikwi entegre gwo echèl.

Karakteristik pwodwi

8 "P/N tip, poli silisyòm wafer (25 pcs)

Oryantasyon: 200

Rezistans: 0.1 - 40 ohm•cm (Li ka varye de pakèt an pakèt)

Epesè: 725+/-20um

Premye/Monitè/Tès Klas

PWOPRIYETE MATERYÈL

Paramèt	Karakteristik
Kalite/Dopant	P, Bor N, Fosfò N, Antimwàn N, Asenik
Oryantasyon yo	<100>, <111> koupe oryantasyon pou chak espesifikasyon kliyan yo
Kontni oksijèn	10¹⁹ppmA Custom tolerans pou chak spesifikasyon kliyan an
Kontni Kabòn	<0.6 ppmA

PWOPRIYETE MEKANIK

Paramèt	Premye	Siveye/Tès A	Tès
Dyamèt	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0.5 mm
Epesè	725±20µm (estanda)	725±25µm (estanda) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (estanda)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Bow	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Vlope	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Awondi kwen	SEMI-STD
Marking	Prensipal SEMI-Flat sèlman, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Paramèt	Premye	Siveye/Tès A	Tès
Kritè Front Side
Kondisyon sifas	Chimik mekanik poli	Chimik mekanik poli	Chimik mekanik poli
Rugosité andigman	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasyon Patikil @ > 0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Brouyar, Pits Kale zoranj	Okenn	Okenn	Okenn
Saw, Marks Striasyon	Okenn	Okenn	Okenn
Kritè dèyè bò
Fant, crowsfeet, mak si, tach	Okenn	Okenn	Okenn
Kondisyon sifas	Caustic grave