SiC
-
3 pous 76.2mm 4H-Semi SiC substrat wafer Silisyòm Carbide Semi-insulting wafers SiC
-
Substra SiC 3 pous Dia76.2mm HPSI Prime Research ak klas Dummy
-
4H-semi HPSI 2 pous SiC substrat wafer Pwodiksyon Dummy Rechèch klas
-
Gofr SiC 2 pous 6H oswa 4H Substra SiC semi-izolan Dyamèt 50.8mm
-
4H-N 4 pous SiC substrat wafer Silisyòm Carbide Pwodiksyon Dummy Rechèch klas
-
Gofr SiC Silisyòm Carbide 6 pous 150mm tip 4H-N pou rechèch pwodiksyon MOS oswa SBD ak klas Dummy
-
Gofr Silisyòm Carbide 2 pous 6H oswa 4H N-type oswa Semi-Izolan SiC Substra
-
8 pous 200mm 4H-N SiC Wafer kondiktif mannken rechèch klas
-
Gofr Silisyòm Carbide 2 pous 6H oswa 4H N-type oswa Semi-Izolan SiC Substra